構造：アロイ型
用途：低周波低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -10V
V_EBO -10V
I_C -2mA
I_E 2mA
P_C 50mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -7μA（V_CB -10V）
I_EBO Max -7μA（V_EB -12V）
hie Typ 3900Ω（V_CE -4V, I_E 0.5mA）
hre Typ 3.8×10^-4（V_CE -4V, I_E 0.5mA）
hoe Typ 11.8μmho（V_CE -4V, I_E 0.5mA）
hfe Typ 65（V_CE -4V, I_E 0.5mA）
NF Typ 4dB（V_CE -4V, I_E 0.5mA）
PG Typ 45dB（エミッタ接地, Ri 2700Ω, Ro 124kΩ） 32dB（ベース接地, Ri 330Ω, Ro 100kΩ） 18dB（コレクタ接地, Ri 100kΩ, Ro 16kΩ）
（V_CE -4V, I_E 0.5mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -10V
V_EBO -10V
I_C -2mA
I_E 2mA
P_C 20mW
T_j 85℃
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -7μA（V_CB -10V）
I_EBO Max -7μA（V_EB -10V）
hie Typ 3.9kΩ（V_CE -4V, I_E 0.5mA, f 270Hz）
hre Typ 3.8×10^-4（V_CE -4V, I_E 0.5mA, f 270Hz）
hfe Min 40 Max 150 Typ 65（V_CE -4V, I_E 0.5mA, f 270Hz）
（ランク：A 40〜85, B 70〜150）
hoe Typ 11.8μmho（V_CE -4V, I_E 0.5mA, f 270Hz）
NF Max 6dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf 100Hz, Rg 500Ω）

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：現行品

投稿者 fff : June 12, 2005 02:38 AM