構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
C_ob Typ 25pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
NF Typ 8dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 6kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 1.3×10^-3 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 120（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 40μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 36dB Max 42dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

投稿者 fff : June 14, 2005 01:47 AM