構造:アロイ型
用途:低周波電力増幅用
<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -35V
VEBO -10V
VCER -35V(RBE 100Ω)
IC -500A
PC 750mW(Tc=25℃)
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -60μA(VCB -12V)
hFE Typ 100(VCE -1.5V, IC -100mA)
fαb Typ 0.8MHz(VCB -1.5V, IE 100mA)
SANYO半導体カタログ1965.4より引用
構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用
<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -35V
VEBO -10V
VCER -35V
IC -500mA
PC 720mW
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -60μA(VCB -12V)
IEBO Max -30μA(VEB -6V)
fαb Typ 800kHz(VCB -1.5V, IC -100mA)
hFE Min 30 Max 300 Typ 100(VCE -6V, IC -100mA)
三洋半導体ハンドブック1968年版より引用
SANYO半導体カタログ1965.4 :現行品
'68 三洋半導体ハンドブック (昭和43年1月5日発行):保守品
'71 三洋半導体ハンドブック (昭和45年9月1日発行):廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック (昭和50年7月31日発行):廃止品