2SD19

構造:アロイ型
用途:低周波中出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 10V
VCER 18V(RBE 10kΩ)
IC 300mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -65〜+100℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 12μA(VCB 12V)
IEBO Max 12μA(VEB 3V)
BVCER Min 18V (RBE 10kΩ, IC 600μA)
hFE Min 19 Max 42 Typ 31 (VCE 1V, IC 20mA)
VBE Max 0.5V (VCE 1V, IC 20mA)
fαb Min 1.0MHz(VCB 6V, IE -1mA)

NECエレクトロニックス・データブック 1963版より引用

NECエレクトロニックス・データブック 1962年版(昭和37年5月12日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1963年版(昭和38年5月15日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1964-1965年版(昭和39年10月15日発行):現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版:保守品

投稿者 fff : July 6, 2005 12:39 AM
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