構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_EBO 12V
I_C 70mA
I_E -70mA
P_C 100mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 14μA（V_CB 25V）
I_EBO Max 12μA（V_EB 12V）
hie Typ 1200Ω（V_CE 6V, I_E -1mA）
hre Typ 3.2×10^-4（V_CE 6V, I_E -1mA）
hoe Typ 20μmho（V_CE 6V, I_E -1mA）
hfe Typ 40（V_CE 6V, I_E -1mA）
f_αb Typ 3MHz（V_CB 6V, I_E -1mA）
NF Typ 4.5dB（V_CE 6V, I_E -1mA）
PG Typ 44dB（エミッタ接地, Ri 800Ω, Ro 81kΩ） 34dB（ベース接地, Ri 120Ω, Ro 510kΩ） 16dB（コレクタ接地, Ri 33kΩ, Ro 83kΩ）
（V_CE 6V, I_E -1mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_CES 25V
V_EBO 12V
I_C 100mA
I_E -100mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 14μA（V_CB 25V）
hie Typ 1260Ω（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
hre Typ 3.0×10^-4（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
hfe Typ 40（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
（ランク：A 30, B 40, C 55）
f_αb Typ 3.0MHz（V_CB 6V, I_E -1mA）
NF Typ 6dB（V_CE 6V, I_E -1mA, f 1kHz, Δf 100Hz, R_g 500Ω）
PG Typ 45dB（エミッタ接地） 35dB（ベース接地） 16dB（コレクタ接地）
（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止予定

投稿者 fff : July 12, 2005 01:10 AM