2SD30

構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCER 25V (RBE 100Ω)
VEBO 12V
IC 200mA
PC 300mW (放熱器R1A使用時)
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 15μA(VCB 20V)
IEBO Max 12μA(VEB 6V)
fαb Typ 1MHz(VCB 6V, IC 1mA)
hFE Min 65 Max 300 Typ 100 (VCE 1.5V, IC 100mA)

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 67 Max 275 Typ 100 (VCE 1.5V, IC 100mA)
(緑 67-110, 橙 90-140, 青 110-165, 黄 135-195, 無色 155-220, 赤 180-275)
rbb' Max 200Ω (VCE 1.5V, IC 30mA, f 6MHz)

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

投稿者 fff : September 19, 2005 01:54 AM
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