構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -12μA (V_CB -18V)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_fb Min -0.950 Typ -0.980 Max -0.998 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用