2SA32

構造:合金接合型
用途:短波帯高周波増幅

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -20V
VEBO -10V
IC -200mA
IE 200mA
PC 175mW
Tj 85℃
Tstg -55〜85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -5μA (VCB -20V)
IEBO Max -5μA (VEB -10V)
hFE Typ 70 (VCE -1V, IC -10mA)
fαb Min 5 Typ 10 MHz (VCB -6V, IE 1mA)
hie(real) Typ 120 Max 250Ω (VCE -6V, IE 1mA, f 10MHz)
Cob Typ 12 Max 20pF (VCB -6V, IE 00, f 1MHz)
hib Typ 29Ω (VCB -6V, IE 1mA, f 270Hz)
hfb Min 0.97 Typ 0.985 Max 0.996 (VCB -6V, IE 1mA, f 270Hz)
hob Typ 0.4 Max 1.2μmho (VCB -6V, IE 1mA, f 270Hz)
VCE(SAT) Typ -0.05 Max -0.15V (IC -10mA, IB -1mA)
VBE(SAT) Typ -0.28 Max -0.4V (IC -10mA, IB -1mA)

tr Typ 0.35 Max 0.8μs
tstg Typ 0.20 Max 0.55μs
tf Typ 0.20 Max 0.50μs

1968年 富士通電子部品ハンドブック(昭和42年7月20日発行)より引用

1968年 富士通電子部品ハンドブック(昭和42年7月20日発行):現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック(昭和45年7月20日発行):現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック(昭和48年5月1日発行):現行品

投稿者 fff : January 17, 2006 12:59 AM
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