構造：ドリフト型
用途：高速度スイッチ用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -2V
I_C -400mA
I_E 400mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -2V)
h_FE Min 30 Typ 60 Max 150 (V_CE -1V, I_C -400mA)
f_αb Min 25 Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

投稿者 fff : February 14, 2006 12:24 AM