構造：ドリフト型
用途：短波帯高周波増幅，周波数変換用／短波帯送信機発振，増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CES -30V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
BV_CES Min -30V (I_C -50μA)
I_CBO Max -5μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -3μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 50 Typ 120 Max 200 (V_CE -9V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Min 30 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 35 Ω (V_CE -9V, I_E 1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 2.5 Max 3.2pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品

投稿者 fff : February 28, 2006 02:52 AM