構造：ドリフト型
用途：高周波，低周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -0.7V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -16μA (V_CB -10V)
h_fe Typ 190 (V_CE -9V, I_E 1mA)
f_αb Min 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Max 180Ω (V_CE -9V, I_E 1mA)
NF Max 16dB (V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
h_ie Typ 4600 Ω (V_CE -9V, I_E 1mA)
h_re Typ 9 ×10^-4 (V_CE -9V, I_E 1mA)
h_oe Typ 45 μmho (V_CE -9V, I_E 1mA)
1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

投稿者 fff : March 1, 2006 10:13 AM