構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 55 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 12 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 11 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

＊h_fe 分類 A：11〜16 B：13.5〜18 C：15.5 〜 20.5 D：18 〜 27.5
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

投稿者 fff : April 3, 2006 12:06 AM