構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -70μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
f_T Min 5MHz Max 60MHz （V_CE -6V, I_C -1mA）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 90Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品