構造：ベース拡散型
用途：短波局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 45MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 60Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止