構造：ドリフト型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE 50Ω）
V_EBO -1V
I_C -6A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
hFE Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 0.7MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：TV垂直偏向出力用（21形まで）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE=50Ω）
I_C -6A
P_C 30W（T_C=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
I_EBO Max -5mA（V_EB -1V）
h_FE Min 25 Max 250 Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 1.5MHz （V_CB -1.5V, I_C -0.5A）
V_CE(SAT) Max -0.6V Typ -0.3V（I_C -5A, I_B -0.5A）
V_BE(SAT) Max -1.5V Typ -0.75V（I_C -5A, I_B -0.5A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

投稿者 fff : July 1, 2006 11:22 PM