構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_EBO -2.5V
I_C -70mA
I_E 70mA
P_C 150mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -12V）
hie Typ 18000Ω（V_CE -6V, I_E 1mA）
hre Typ 3.0×10^-4（V_CE -6V, I_E 1mA）
hoe Typ 21.5μmho（V_CE -6V, I_E 1mA）
hfe Typ 45（V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA）
PG Typ 43dB（エミッタ接地, Ri 1500Ω, Ro 65kΩ） 32dB（ベース接地, Ri 190Ω, Ro 460kΩ） 17dB（コレクタ接地, Ri 54kΩ, Ro 960Ω）
（V_CE -6V, I_E 1mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_CES -18V
V_EBO -2.5V
I_C -100mA
I_E 100mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBX Max -14μA（V_CB -12V, V_EB -6V）
hie Typ 1750Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
hre Typ 3.0×10^-4（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
hfe Typ 55（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
（ランク：A 40, B 55, C 70）
hoe Typ 17.5μmho（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Typ 2.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 7dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：保守品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

投稿者 fff : August 11, 2006 11:59 PM