This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：エピタキシャルメサ型
用途：高速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_CEO -6V
V_EBO -1.5V
I_C -100mA
I_E 100mA
P_C 150mW
P_C 300mW （Tc = 25℃）
T_j 100℃
T_stg -55〜100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
V_(BR)CBO Min -12V (I_C -100μA)
V_(BR)CEO Min -6V (I_C -10mA)
V_(BR)EBO Min -1.5V (I_E -100μA)
I_CBO Max -3μA (V_CB -6V)
I_CES Max -100μA (V_CE -12V)
I_EBO Max -0.6μA (V_EB -0.5V)
h_FE Min 120 Typ 210 Max 350 (V_CE -1V, I_C -50mA)
V_CE(SAT) Typ -0.12 Max -0.2V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_CE(SAT) Typ -0.2 Max -0.4V (I_C -50mA, I_B -5mA)
V_BE(SAT) Min -0.3 Typ -0.4 Max -0.5V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Min -0.40 Typ -0.52 Max -0.75V (I_C -50mA, I_B -5mA)
f_T Min 300 Typ 530MHz (V_CE -1V, I_C -20mA)
C_ib Typ 2.0 Max 3.5pF (V_EB -1V, I_C 0, f 1MHz)
C_ob Typ 2.3 Max 4.0pF (V_CB -10V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

投稿者 fff : October 21, 2006 02:09 AM