構造:ドリフト型
用途:低周波電力増幅用
<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -32V
VCER -32V(RBE 100Ω)
VEBO -1V
IC -1.5A
PC 10W
Rth 6℃/W
Tj 85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -100μA(VCB -12V)
VCER Min 32V(RBE 100Ω, IC -2mA)
hFE Min 20 Max 93 (VCE -1V, IC -50mA)
fT Min 1MHz (VCE -1.5V, IC -0.5A)
NHK半導体ハンドブック 技術管理局編(1966年)より引用
<最大定格>
Tstg -55 〜 85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
hFE Min 40 Max 86(VCE -1V, IC -0.5A)
fT Min 1 MHz Typ 1.5MHz (VCB 1V, IE 0.1A)
東芝電子管・半導体ハンディブック(1968年版)より引用
投稿者 fff : October 22, 2007 07:29 PM