構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 70 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
h_fe Min 3.5 Max 8.0 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz)
f_αb Typ 35 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 30 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Min 2 Max 5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

投稿者 fff : November 10, 2007 01:28 AM