構造：メサ型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CEO -17V
V_EBO -0.5V
I_C -30mA
P_C 200mW
P_C 133mW（at 45℃）
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -4μA（V_CB -15V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hFE Min 20（V_CE -6V, I_C -5mA）
hfe Min 2.5 Max 9（V_CE -6V, I_C -5mA, f 100MHz）
C_ob Max 4pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Min 15 Max 23（V_CB -6V, I_C -5mA, f 70MHz, Z_G 50Ω, Z_L 50Ω）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
T_stg -55 〜 100℃

NEC 半導体規格一覧表1966年4月版より引用

投稿者 fff : November 10, 2007 02:23 AM