2SB292N

構造:アロイ型
用途:低周波電力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -30V
VCEO -30V
VEBO -12V
IC -100mA
PC 150mW
PC 100mW(at 45℃)
Tj 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -10μA(VCB -30V)
hFE Min 60 Max 100 (VCE -1V, IC -50mA)
fαb Typ 1MHz (VCB -6V, IE 1mA)
NF Max 10dB(VCE -6V, IE 1mA, f 1kHz, Rg 500Ω)

NHK半導体ハンドブック 技術管理局編(1966年)より引用

投稿者 fff : November 10, 2007 02:41 AM