構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_CES -40V（R_BE 0）
V_EBO -6V
I_C -300mA
P_C 225mW
P_C 135mW（at 45℃）
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -16μA（V_CB -12V）
hFE Min 75 Max 150（V_CE -1V, I_C -300mA）
hFE Min 100 Max 200（V_CE -1V, I_C -50mA）
V_CES Min 40V（R_BE 0, I_C -200μA）
V_BE Max 0.8V（V_CE -1V, I_C -300mA）
NF Max 15dB（V_CB -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_stg -55 〜 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
hFE Typ 100（V_CE -1V, I_C -300mA）

1967年ナショナル半導体ハンドブック（昭和41年12月15日発行）より引用

投稿者 fff : November 10, 2007 02:48 AM