構造：ドリフト型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
V_CER -32V（R_BE 100Ω）
V_EBO -1V
I_C -1.5A
P_C 10W
R_th 6℃/W
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -12V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hFE Min 20 Max 93 （V_CE -1V, I_C -50mA）
f_T Min 1MHz （V_CE -1V, I_E -0.1A）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

投稿者 fff : November 14, 2007 07:09 PM