構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -60μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 5 Max 16（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：記載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

投稿者 fff : November 29, 2007 01:45 AM