構造：アロイ型
用途：低速度スイッチング用／低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 30V
V_EBO 12V
I_C 70mA
P_C 100mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 10μA（V_CE 30V）
hFE Min 45 Max 80（V_CE 1.5V, I_E -35mA）
（ランクAはhFE Min 30 Max 60（V_CE 1.5V, I_E -35mA））

日立通信工業用半導体製品一覧表（1962/11）より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 30V
V_CEO 30V
V_EBO 12V
I_C 100mA
I_E -100mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBX Max 10μA Typ 6μA（V_CB 30V, V_EB 6V）
I_CEO Max 1.0mA Typ 0.4mA（V_CE 30V）
I_EBO Max 7.0μA Typ 3.5μA（V_EB 12V）
hFE Min 40 Max 80 Typ 60（V_CE 1V, I_C 50mA）
hie Typ 1.15kΩ（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
hre Typ 25×10^-4（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
hfe Typ 40（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
hoe Typ 16μmho（V_CE 6V, I_E -1mA, f 270Hz）
f_αb Typ 3MHz（V_CB 6V, I_E -1mA）
hie_(real) Typ 110Ω（V_CE 6V, I_E -1mA, f 10MHz）
C_ob Typ 4.2pF（V_CB 6V, I_E 0, f 1MHz）

'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）より引用

日立通信工業用半導体製品一覧表（1962/11）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：現行品

hreについて Typ 2.5×10^-4の間違い？

投稿者 fff : December 13, 2007 02:00 AM