構造：エピタキシャルメサ型
用途：150MHz帯送信出力

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -0.5V
I_C -150mA
I_E 150mA
P_C 250mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -10V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 10 Max 150（V_CE -10V, I_E 5mA）
C_ob Max 4.0pF（V_CB -10V, I_E 0）
r_bb' Max 150Ω (V_CB -10V, I_E 5mA）
f_T Min 300 Max 900MHz （V_CE -3V, I_E 50mA）
P_out ≧ 250mW (V_cc -10V, f 150MHz, R_g 50Ω, R_L 50Ω, P_in 17mW)

日立通信工業用半導体製品特性一覧表（1964.03）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：掲載なし
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：掲載なし