構造：アロイ型
用途：中速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CEO -15V
V_EBO -12V
I_C -0.1A
P_C 0.1W
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA（V_CB -15V）
hFE Typ 50（V_CE -1.5V, I_E 30mA）
f_αb Typ 7MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob Typ 13pF（V_CE -6V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 100Ω（V_CE -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）

構造：アロイ形
用途：AM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -2V
I_C -5mA
P_C 30mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -25μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -1.5V）
h_fe Min 4 Max 50（V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz）
C_ob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Min 20dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 455MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：合金接合型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 50 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 8 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Typ 11 Max 14.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^{-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)}

＊h_fe 分類 A：9〜13.5 B：11〜16
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 55 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 12 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 11 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

＊h_fe 分類 A：11〜16 B：13.5〜18 C：15.5 〜 20.5 D：18 〜 27.5
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 30 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 5 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 11 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^{-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)}

＊h_fe 分類 A：11〜16 B：13.5〜18 C：15.5 〜 20.5 D：18 〜 27.5
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅・TV音声中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
h_fe Typ 70 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
h_fe Min 6 Max 10.5（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
f_αb Typ 55MHz （V_CB -6V, I_E -1mA）
C_ob Min 2pF Max 5pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト形
用途：AM高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -0.5μA（V_EB -1.5V）
h_fe Min 60 Max 400 Typ 150 （V_CE -6V, I_C 1mA, f 1kHz）
f_αb Typ 60MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
C_ob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：短波（12MHzまで）周波数変換・発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 55 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 35 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 3.5 Max 7pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト型
用途：短波（27MHzまでの）混合用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 90 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
h_fe Min 6 Max 13.5 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz)
f_αb Typ 60 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 35 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 3.5 Max 7pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：短波（27MHzまでの）発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
h_fe Typ 120 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
h_fe Min 6 Max 13.5（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
f_αb Typ 65MHz （V_CB -6V, I_E -1mA）
C_ob Max 7pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止予定品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：AGC増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 30 Max 300 Typ 80 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Min 40MHz Typ 55MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：記載なし

構造：メサ形
用途：TV混合／TV発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.4V
I_C -5mA
P_C 60mW
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -50μA（V_EB -0.4V）
hfe Typ 15 （V_CE -6V, I_C -2mA, f 1kHz）
f_T Min 400MHz Typ 500MHz （V_CE -6V, I_C -2mA）
Cob Max 3pF Typ 1.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Typ 10dB （V_CE -6V, I_C -2mA, f 200MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50 （V_CB -6V, I_E 1mA）
fαb Typ 35MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
Cob Typ 3.0pF （V_CB -6V, I_E 1mA）
rbb' Typ 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用・短波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Typ 70 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 3.5 Max 8.0 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
fαb Min 25MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Min 2.5pF Max 4.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 70 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
h_fe Min 3.5 Max 8.0 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz)
f_αb Typ 35 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 30 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Min 2 Max 5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -15μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 30 Max 120Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Min 1.5 Max 5.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Typ 80 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Typ 55MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Max 6pF Typ3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -70μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
f_T Min 5MHz Max 60MHz （V_CE -6V, I_C -1mA）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 90Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -60μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 5 Max 16（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：記載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：HF帯出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -1.5V
I_C -50mA
I_E 50mA
P_C 120mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 100 （V_CB -6V, I_E 1mA）
fαb Typ 70MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
Cob Typ 2.5pF （V_CB -6V, I_E 1mA）
rbb' Typ 35Ω （V_CB -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：HF帯トランシーバ出力用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -1.5V
I_C -50mA
P_C 120mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 30 Max 300（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Min 40MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Min 2pF Max 5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Typ 50Ω Max 120Ω（V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：メサ型
用途：ＴＶ発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.3V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 50mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -30μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.4V)
h_fe Typ 30 (V_CE -6V, I_E 2mA, f 270Hz)
f_T Typ 480 MHz (V_CE -6V, I_E 2mA)
C_ob Typ 1.5 pF (V_CB -6V, I_E 2mA)
PG Typ 7.7db（V_CE -6V, I_E 2mA, f 200MHz）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：メサ型
用途：ＶＨＦ増幅，混合，発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.4V
I_C -5mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -30μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.4V)
h_fe Typ 50 (V_CE -6V, I_C -2mA, f 1kHz)
f_T Typ 350 MHz (V_CB -6V, I_C -2mA)
C_ob Typ 1.5 Max 2.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)
PG Typ 14dB (V_CE -6V, I_C -2mA, f 100MHz)
PG Typ 7dB (V_CE -6V, I_C -2mA, f 200MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 2kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 0.5×10^-3 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 45（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 20μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 33dB Max 38dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
C_ob Typ 25pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
NF Typ 8dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 6kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 1.3×10^-3 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 120（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 40μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 36dB Max 42dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
hFE Min 50 Max 220 Typ 100（V_CE -1.5V, I_C -30mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
NF Typ 12dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hfe Typ 20（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 30dB Max 35dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：Power Amp

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CER -20V（R_BE 100Ω）
V_EBO -10V
I_C -3A
P_C 24W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.5mA（V_CB -20V）
hFE Typ 80（V_CE -1.5V, I_C -1A）
f_αb Typ 0.5MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.2A）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -25V（R_BE 100Ω）
V_EBO -10V
I_C -3A
P_C 24W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.5mA（V_CB -20V）
I_EBO Max -0.5mA（V_EB -10V）
hFE Min 25 Max 300 Typ 80（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 0.5MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.2A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -200mA
P_C 300mW (放熱器R1A使用時)
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
hFE Min 65 Max 300 Typ 100 （V_CE -1.5V, I_C -100mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 67 Max 275 Typ 100 （V_CE -1.5V, I_C -100mA）
（緑 67-110, 橙 90-140, 青 110-165, 黄 135-195, 無色 155-220, 赤 180-275）
r_bb' Typ 75Ω （V_CE -1.5V, I_C -30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_EBO -5V
I_C -50mA
P_C 150mW
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -6V）
I_EBO Max -10μA（V_EB -0.5V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
NF Typ 12dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 3kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 8×10^-4 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 80（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 30dB Max 42dB Typ 36dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

This photo with courtesy of E.Saitoh.

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -10V
I_C -500A
P_C 750mW（Tc=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -60μA（V_CB -12V）
h_FE Typ 100（V_CE -1.5V, I_C -100mA）
f_αb Typ 0.8MHz（V_CB -1.5V, I_E 100mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -10V
V_CER -25V
I_C -500mA
P_C 720mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -60μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 800kHz（V_CB -1.5V, I_C -100mA）
hFE Min 30 Max 300 Typ 100（V_CE -6V, I_C -100mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -35V
V_EBO -10V
V_CER -35V（R_BE 100Ω）
I_C -500A
P_C 750mW（Tc=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -60μA（V_CB -12V）
h_FE Typ 100（V_CE -1.5V, I_C -100mA）
f_αb Typ 0.8MHz（V_CB -1.5V, I_E 100mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -35V
V_EBO -10V
V_CER -35V
I_C -500mA
P_C 720mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -60μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 800kHz（V_CB -1.5V, I_C -100mA）
hFE Min 30 Max 300 Typ 100（V_CE -6V, I_C -100mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号・低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -20mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
C_ob Typ 40pF（V_CB -2V, I_E 0, f 1MHz）
NF Typ 3.5dB（V_CE -2V, I_C --0.5mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 1Hz/s）
hie Typ 12kΩ（V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hre Typ 3×10^-3 （V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hfe Typ 180（V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hoe Typ 50μmho （V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波小信号・低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -20mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
C_ob Typ 40pF（V_CB -2V, I_E 0, f 1MHz）
NF Typ 3.5dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
Max 30dB（V_CE -2V, I_C -1mA, f 25Hz, Rg 500Ω, Δf 6Hz）
hie Typ 12kΩ（V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hre Typ 3×10^-3 （V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hfe Min 20 Max 400 Typ 180（V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）
hoe Typ 50μmho （V_CE -2V, I_C -0.5mA, f 1kHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -120V
V_CER -120V（R_BE 50Ω）
V_EBO -1V
I_C -6A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -120V）
hFE Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 0.7MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト型
用途：TV水平偏向ドライバ用（21形まで）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -120V
V_CER -120V（R_BE 50Ω）
V_EBO -1V
I_C -6A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -120V）
I_EBO Max -5mA（V_EB -1V）
hFE Min 25 Max 250 Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 1.5MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）
V_CE(SAT) Max -0.6V Typ -0.3V（I_C -5A, I_B -0.5A）
V_BE(SAT) Max -1.5V Typ -0.75V（I_C -5A, I_B -0.5A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE 50Ω）
V_EBO -1V
I_C -6A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
hFE Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 0.7MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：TV垂直偏向出力用（21形まで）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE=50Ω）
I_C -6A
P_C 30W（T_C=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
I_EBO Max -5mA（V_EB -1V）
h_FE Min 25 Max 250 Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 1.5MHz （V_CB -1.5V, I_C -0.5A）
V_CE(SAT) Max -0.6V Typ -0.3V（I_C -5A, I_B -0.5A）
V_BE(SAT) Max -1.5V Typ -0.75V（I_C -5A, I_B -0.5A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波低雑音増幅用

特性については松下：2SB346を参照。

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -10V
V_CER -25V (R_BE 100Ω)
I_C -1A
P_C 1.5W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -50μA（V_CB -20V）
h_FE Typ 150（V_CE -1.5V, I_C -200mA）
f_αb Typ 0.7MHz（V_CB -1.5V, I_E 200mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用（保守品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -10V
V_CER -25V (R_BE 100Ω)
I_C -1A
P_C 1.5W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -50μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -50μA（V_EB -10V）
h_FE Min 30 Max 300 Typ 150（V_CE -1.5V, I_C -0.2A）
f_αb Typ 700kHz（V_CB -1.5V, I_C -0.2A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ベース拡散型
用途：TV水平偏向出力用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE 50Ω）
V_EBO -3V
I_C -9A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
I_EBO Max -90mA（V_EB -3V）
V_CEO Min 75V（I_C -25mA）
V_CER Min 150V（R_BE 50Ω, I_EB -5mA）
hFE Min 30 Max 125 （V_CE -1.5V, I_C -4A）
f_T Min 1.3MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）
rbb' Max 7Ω（V_CE -1.5V, I_C -0.2A, f 6MHz）
V_CE(SAT) Max 1V（I_C -10A, I_B -1A）
V_BE(SAT) Max 2V（I_C -10A, I_B -1A）

三洋半導体ハンドブック1976年版より引用

'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ベース拡散型
用途：TV水平偏向出力用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -150V
V_CER -150V（R_BE 50Ω）
V_EBO -3V
I_C -9A
P_C 30W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5mA（V_CB -150V）
I_EBO Max -90mA（V_EB -3V）
V_CEO Min 75V（I_C -25mA）
V_CER Min 150V（R_BE 50Ω, I_EB -5mA）
hFE Min 30 Max 125 （V_CE -1.5V, I_C -4A）
f_T Min 1.3MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.5A）
rbb' Max 7Ω（V_CE -1.5V, I_C -0.2A, f 6MHz）
V_CE(SAT) Max 1V（I_C -10A, I_B -1A）
V_BE(SAT) Max 2V（I_C -10A, I_B -1A）

三洋半導体ハンドブック1976年版より引用

'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低雑音信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -40mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -10V）
f_αb Typ 1MHz（V_CE -6V, I_C -1mA）
NF Typ 3dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 1Hz/s）
hie Typ 3kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 8×10^-4 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 100（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -12V
I_C -40mA
P_C 100mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -10V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CE -6V, I_C -1mA）
NF Typ 3dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
Max 25dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 25Hz, Rg 500Ω, Δf 6Hz）
hie Typ 3kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 8×10^-4 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 50 Max 400 Typ 100（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -6V
V_CER -25V （R_BE 100Ω）
I_C -600mA
P_C 720mW（Tc=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -50μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -80μA（V_EB -4V）
f_αb Typ 750kHz（V_CB -1V, I_E 200mA）
hFE Typ 120（V_CB -1V, I_C -200mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -6V
V_CER -25V （R_BE 100Ω）
I_C -1A
P_C 720mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -50μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -80μA（V_EB -4V）
f_αb Typ 700kHz（V_CB -1V, I_C -0.2A）
hFE Min 50 Max 300 Typ 100（V_CB -1V, I_C -0.2A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：TV水平発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
V_CER -25V（R_BE 100Ω）
I_C -200mA
P_C 300mW (放熱器R1A使用時)
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
hFE Min 135 Max 275 Typ 175 （V_CE -1.5V, I_C -100mA）
rbb' Max 150Ω（V_CE -1.5V, I_C -30mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：未掲載
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -6V
V_CER -25V (R_BE 100Ω)
I_C -2A
P_C 6W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -50μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -80μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 700kHz（V_CB -1.5V, I_C -0.2A）
hFE Min 50 Max 300 Typ 110（V_CE -1.5V, I_C -0.2A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_EBO 12V
I_C 150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 15μA（V_CB 20V）
I_EBO Max 12μA（V_EB 6V）
hie Typ 2.5kΩ（V_CE 6V, I_C 1mA, f 1kHz）
hre Typ 1×10^-3 （V_CE 6V, I_C 1mA, f 1kHz）
hfe Typ 120 （V_CE 6V, I_C 1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE 6V, I_C 1mA, f 1kHz）

NF Typ 7dB（V_CE 6V, I_C 1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

f_αb Typ 1MHz （V_CB 6V, I_C 1mA）
r_bb' Typ 120Ω Max 220Ω （V_CE 1.5V, I_C 30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_EBO 12V
I_C 150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 15μA（V_CB 20V）
I_EBO Max 12μA（V_EB 4V）
hFE Min 50 Max 200 Typ 100（V_CE 1.5V, I_C 30mA）
f_αb Typ 1MHz （V_CB 6V, I_C 1mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 50 Max 220 Typ 100 （V_CE 1.5V, I_C 30mA）
（無色　50-83, 黄 67-110, 赤 90-140, 茶 110-165, 緑 135-220）
r_bb' Typ 125Ω Max 200Ω （V_CE 1.5V, I_C 30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_CER 25V （R_BE 100Ω）
V_EBO 12V
I_C 200mA
P_C 300mW (放熱器R1A使用時)
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 15μA（V_CB 20V）
I_EBO Max 12μA（V_EB 6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB 6V, I_C 1mA）
hFE Min 65 Max 300 Typ 100 （V_CE 1.5V, I_C 100mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 67 Max 275 Typ 100 （V_CE 1.5V, I_C 100mA）
（緑 67-110, 橙 90-140, 青 110-165, 黄 135-195, 無色 155-220, 赤 180-275）
r_bb' Max 200Ω （V_CE 1.5V, I_C 30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

構造：アロイ型
用途：低周波出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO 25V
V_CER 25V （R_BE 100Ω）
V_EBO 6V
I_C 600mA
P_C 720mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 50μA（V_CB 20V）
I_EBO Max 80μA（V_EB 4V）
f_αb Typ 755kHz（V_CB 1V, I_C 0.2A）
hFE Min 50 Max 300 Typ 80 （V_CE 1V, I_C 0.2A）
r_bb' Max 55Ω （V_CE 1.5V, I_C 30mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 50 Max 275 Typ 80 （V_CE 1V, I_C 0.2A）
（白　50-66, 紫　54-74, 桃 60-83, 黒 67-94, 茶 76-110, 赤 90-140, 橙 110-165, 黄 135-220, 緑 180-275）
r_bb' Typ 25Ω Max 55Ω （V_CE 1.5V, I_C 30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品