TransistorArchive: 富士通：FUJITSU アーカイブ

構造：合金接合型
用途：通信工業用，高速度スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -200mA
P_C 175mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -20V)
h_FE Typ 70 (V_CE -1V, I_C -10mA)
f_αb Typ 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
V_CE(SAT) Typ -0.05 V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Typ -0.28 V (I_C -10mA, I_B -1mA)

t_r Typ 0.35μs
t_stg Typ 0.20μs
t_f Typ 0.20μs

1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：掲載なし
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 01:09 AM | コメント (0)

投稿者 fff : 10:08 AM | コメント (0)

投稿者 fff : 12:57 AM | コメント (0)

構造：合金接合型
用途：短波帯高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -200mA
I_E 200mA
P_C 175mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -5μA (V_EB -10V)
h_FE Typ 70 (V_CE -1V, I_C -10mA)
f_αb Min 5 Typ 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 120 Max 250Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10MHz)
C_ob Typ 12 Max 20pF (V_CB -6V, I_E 00, f 1MHz)
h_ib Typ 29Ω (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fb Min 0.97 Typ 0.985 Max 0.996 (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_ob Typ 0.4 Max 1.2μmho (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
V_CE(SAT) Typ -0.05 Max -0.15V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Typ -0.28 Max -0.4V (I_C -10mA, I_B -1mA)

t_r Typ 0.35 Max 0.8μs
t_stg Typ 0.20 Max 0.55μs
t_f Typ 0.20 Max 0.50μs

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 12:59 AM | コメント (0)

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
I_C -600mA
I_E 600mA
P_C 1.8W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA Typ 7μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -20μA Typ 5μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 12.5 Typ 30（V_CE -2V, I_C -250mA）

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 10:13 AM

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -80V
I_C -600mA
I_E 600mA
P_C 1.8W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA Typ 7μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -20μA Typ 5μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 12.5 Typ 30（V_CE -2V, I_C -250mA）

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 02:56 AM

These photos with coutesy of E.Saitoh.

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
I_C -2.5A
I_E 2.5A
P_C 5.5W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -100μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 15 Typ 25（V_CE -2V, I_C -1.5A）

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

投稿者 fff : 01:48 AM

These photos with coutesy of E.Saitoh.

投稿者 fff : 01:49 AM | コメント (0)

構造：アロイ形
用途：低速度大電力スイッチング用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -100V
V_EBO -40V
V_CER -65V（R_BE 1kΩ）
I_C -5A
P_C 40W
T_j 85℃
T_stg -65℃〜+90℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -3mA（V_CB -100V）
I_EBO Max -200μA（V_EB -12V）
V_CER Min -80V（I_C -2mA, R_BE 20Ω）
h_FE Min 30 Max 120 Typ 70（V_CE -1V, I_C -1A）
V_CE(SAT) Max -0.8V Typ -0.3V（I_C -4A, I_B -0.4A）
V_BE(SAT) Max -1.5V Typ -0.7V（I_C -4A, I_B -0.4A）
f_αe Min 4.5kHz（V_CE -1V, I_C -1A）

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 01:40 AM | コメント (0)

投稿者 fff : 11:35 PM | コメント (0)

構造：アロイ型
用途：低速度大電力スイッチング用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -70V
V_EBO -40V
V_CER -60V（R_BE 20Ω）
I_C -15A
I_E 15A
P_C 56W（T_C=25℃）
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -4mA（V_CB -30V）
I_EBO Max -4mA（V_EB -12V）
h_FE Min 30 Max 120 Typ 50（V_CE -2V, I_C -5A）
V_CE(SAT) Max -0.7V Typ -0.3V（I_C -12A, I_B -2A）
V_BE(SAT) Max -2.0V Typ -1.0V（I_C -12A, I_B -2A）

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 08:56 PM

構造：合金接合型
用途：低周波電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -80V
V_CER -50V （R_BE 100Ω）
V_EBO -30V
I_C -1A
I_E 1A
P_C 13W
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA (V_CB -80V)
I_EBO Max -100μA (V_EB -30V)
h_FE Min 30 Typ 80 Max 140 (V_CE -1V, I_C -0.3A)
V_CE(SAT) Typ -0.2 Max -0.6V (I_C -1A, I_B -0.1A)
V_BE(SAT) Typ -0.45 Max -1.5V (I_C -1A, I_B -0.1A)

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

投稿者 fff : 02:35 PM

構造：アロイ型
用途：低速度スイッチング用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_EBO -10V
V_CER -20V（R_BE 10kΩ）
I_C -500mA
I_E 500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -10V）
h_ib Max 45Ω Typ 30Ω（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb Max 8×10^-4 Typ 3×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_fb Min 0.970 Max 0.996 Typ 0.985（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob Max 1μmho Typ 0.3μmho（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_FE Min 30 Max 200 Typ 70（V_CE -1V, I_C -50mA）
V_CE(SAT) Max -0.15V Typ -0.10V（I_C -20mA, I_B -1mA）
V_BE(SAT) Max -0.40V Typ -0.26V（I_C -20mA, I_B -1mA）
f_αb Typ 2MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Max 20dB Typ 6dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）