構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用
<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -25V
VEBO -6V
VCER -25V (RBE 100Ω)
IC -600mA
PC 720mW(Tc=25℃)
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -50μA(VCB -20V)
IEBO Max -80μA(VEB -4V)
fαb Typ 750kHz(VCB -1V, IE 200mA)
hFE Typ 120(VCB -1V, IC -200mA)
SANYO半導体カタログ1965.4より引用
構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用
<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -25V
VEBO -6V
VCER -25V (RBE 100Ω)
IC -1A
PC 720mW
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃
<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -50μA(VCB -20V)
IEBO Max -80μA(VEB -4V)
fαb Typ 700kHz(VCB -1V, IC -0.2A)
hFE Min 50 Max 300 Typ 100(VCB -1V, IC -0.2A)
三洋半導体ハンドブック1968年版より引用
SANYO半導体カタログ1965.4 :現行品
'68 三洋半導体ハンドブック (昭和43年1月5日発行):現行品
'71 三洋半導体ハンドブック (昭和45年9月1日発行):現行品
'76 三洋半導体ハンドブック (昭和50年7月31日発行):現行品