構造：アロイ型
用途：低雑音信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -40mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -10V）
f_αb Typ 1MHz（V_CE -6V, I_C -1mA）
NF Typ 3dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 1Hz/s）
hie Typ 3kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 8×10^-4 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 100（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -12V
I_C -40mA
P_C 100mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -10V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CE -6V, I_C -1mA）
NF Typ 3dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
Max 25dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 25Hz, Rg 500Ω, Δf 6Hz）
hie Typ 3kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 8×10^-4 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 50 Max 400 Typ 100（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 35μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

投稿者 fff : July 8, 2005 02:00 AM