構造：合金接合型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -8μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 20 Typ 75 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fe Min 10 Max 44 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)
h_ie(real) Typ 40 Max 120Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2 Max 6pF (V_CB -6V, I_E 0, f 4MHz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

投稿者 fff : December 4, 2005 06:45 PM