構造：合金接合型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_CES -16V
V_CEO -15V
V_EBO -20V
I_C -40mA
I_E 40mA
P_C 250mW*
T_j 70℃
T_stg -55〜70℃
*放熱片端子を放熱板（100mm×100mm×1.5mmアルミ板）の中央に取り付けた場合の許容値

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
V_(BR)CBX Min -45 V (I_C -50μA, V_EB -2V)
V_(BR)CES Min -16 V (I_C -50μA)
V_(BR)CEO Min -15 V (I_C -0.5mA)
I_CBO Max -6μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -20V)
h_ie Typ 1.8kΩ (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_re 0.45×10^-3 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_fe Min 20 Typ 40 Max 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_oe Typ 40μmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_ie(real) Max 120Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz)
C_ob Min 9 Max 13pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用