構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -50mA
P_C 120mW
P_C 70mW（at 45℃）
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA（V_CB -12V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hfe Min 80 Max 160 （V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 20MHz （V_CB -3V, I_E 20mA）
C_ob Max 6pF（V_CB 6V, I_E 0, f 4MHz）
rbb' Max 120Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
f_T Min 10MHz （V_CE -3V, I_E 10mA）
f_αb Typ 20MHz （V_CB -3V, I_E 10mA）
C_ob Max 6pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より引用

投稿者 fff : December 7, 2005 12:25 AM