構造：ドリフト形
用途：AGC増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 30 Max 300 Typ 80 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Min 40MHz Typ 55MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：記載なし

投稿者 fff : December 7, 2005 12:34 AM