構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 85（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 50MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）
PG Typ 31dB, Rie 1000Ω, Roe 56kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 1mA, f_S 1.5MHz）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

投稿者 fff : December 9, 2005 12:12 AM