2SA84

構造:ドリフト型
用途:中波周波数変換用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO -20V
VEBO -0.5V
IC -10mA
IE 10mA
PC 80mW
Tj 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max -10μA(VCB -12V)
IEBO Max -30μA(VEB -0.5V)
hfe Typ 80(VCE -9V, IE 1mA)
fαb Typ 40MHz(VCB -9V, IE 1mA)
Cob Typ 1.7pF(VCE -9V, IE 1mA)
rbb' Typ 50Ω(VCE -9V, IE 1mA)
PG Typ 40dB, Rie 2100Ω, Roe 1000kΩ(エミッタ接地 VC -9V, IE 0.6mA, fS 1MHz, fi 455kHz, VOSC 100mV)

日立半導体製品特性一覧表(1961.10)より引用

日立半導体製品特性一覧表(1961.10):現行品
'67日立半導体ハンドブック(昭和41年10月1日発行):廃止
'69日立半導体ハンドブック(昭和44年1月20日発行):廃止

投稿者 fff : December 11, 2005 12:03 AM
コメント
コメントする









名前、アドレスを登録しますか?