2SD100

投稿者 fff : 12:41 AM


2SD100A

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2SD101

投稿者 fff : 01:52 AM


2SD104

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2SD105

投稿者 fff : 01:02 AM | コメント (0)


2SD11

構造:アロイ型
用途:通信工業用 低周波増幅用、低速度スイッチング用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 20V
VCER 15V(RBE 10kΩ)
IC 300mA
PC 125mW
Tj 75℃
Tstg -65〜+100℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 10μA(VCB 25V)
IEBO Max 10μA(VEB 15V)
VCER Min 20V (RBE 10kΩ, IC 500μA)
fαb Min 1.0MHz Typ 2.5MHz(VCB 6V, IC 1mA)
hFE Min 25 Typ 70 (VCE 1V, IC 20mA)
Min 20 (VCE 1V, IC 100mA)
VCE(SAT) Typ 0.1V Max 0.2V (IC 20mA, IB 1mA)
VBE(SAT) Typ 0.3V Max 0.4V (IC 20mA, IB 1mA)

NF Typ 7dB (VCE 6V, IE 1mA, f 1kHz)

NECエレクトロニックス・データブック 1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 (発行日不詳:昭和35年12月?):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1963年版(昭和38年5月15日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1964-1965年版(昭和39年10月15日発行):現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版:現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1969年版(昭和44年7月1日発行):現行品

投稿者 fff : 12:42 AM


2SD128A

投稿者 fff : 02:38 AM | コメント (0)


2SD134

投稿者 fff : 02:51 AM


2SD162

構造:アロイ型
用途:小電力増幅

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 20V
VEBO 2.5V
VCER 15V (RBE 10kΩ)
IC 30mA
PC 60mW
Tj 85℃
Tstg -55〜85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 12μA (VCB 12V)
IEBO Max 12μA (VEB 2.5V)
hie Typ 2.0kΩ(VCE 6V, IE -1mA)
hre Typ 4.0×10-4(VCE 6V, IE -1mA)
hfe Typ 60(VCE 6V, IE -1mA)
hoe Typ 17μmho(VCE 6V, IE -1mA)
hFE Typ 80(VCE 1.5V, IC 30mA)
fαb 3.0MHz (VCB 6V, IE -1mA)

テン半導体製品規格一覧表(1967.10)より引用

テン半導体製品規格一覧表(1967.10):現行品

投稿者 fff : 02:59 AM | コメント (0)


2SD167

投稿者 fff : 12:50 AM | コメント (0)


2SD170

投稿者 fff : 02:33 AM


2SD178

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2SD178A

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投稿者 fff : 01:50 PM


2SD186

構造:アロイ型
用途:低周波小信号増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 12V
IC 150mA
PC 200mW
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 15μA(VCB 20V)
IEBO Max 12μA(VEB 6V)
hie Typ 2.5kΩ(VCE 6V, IC 1mA, f 1kHz)
hre Typ 1×10-3 (VCE 6V, IC 1mA, f 1kHz)
hfe Typ 120 (VCE 6V, IC 1mA, f 1kHz)
hoe Typ 35μmho (VCE 6V, IC 1mA, f 1kHz)

NF Typ 7dB(VCE 6V, IC 1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz)

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

fαb Typ 1MHz (VCB 6V, IC 1mA)
rbb' Typ 120Ω Max 220Ω (VCE 1.5V, IC 30mA, f 6MHz)

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック (昭和43年1月5日発行):現行品
'71 三洋半導体ハンドブック (昭和45年9月1日発行):現行品
'76 三洋半導体ハンドブック (昭和50年7月31日発行):現行品

投稿者 fff : 12:51 AM


2SD187

構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 12V
IC 150mA
PC 200mW
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 15μA(VCB 20V)
IEBO Max 12μA(VEB 4V)
hFE Min 50 Max 200 Typ 100(VCE 1.5V, IC 30mA)
fαb Typ 1MHz (VCB 6V, IC 1mA)

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 50 Max 220 Typ 100 (VCE 1.5V, IC 30mA)
(無色 50-83, 黄 67-110, 赤 90-140, 茶 110-165, 緑 135-220)
rbb' Typ 125Ω Max 200Ω (VCE 1.5V, IC 30mA, f 6MHz)

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック (昭和43年1月5日発行):現行品
'71 三洋半導体ハンドブック (昭和45年9月1日発行):現行品
'76 三洋半導体ハンドブック (昭和50年7月31日発行):現行品

投稿者 fff : 12:35 AM | コメント (0)


2SD19

構造:アロイ型
用途:低周波中出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 10V
VCER 18V(RBE 10kΩ)
IC 300mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -65〜+100℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 12μA(VCB 12V)
IEBO Max 12μA(VEB 3V)
BVCER Min 18V (RBE 10kΩ, IC 600μA)
hFE Min 19 Max 42 Typ 31 (VCE 1V, IC 20mA)
VBE Max 0.5V (VCE 1V, IC 20mA)
fαb Min 1.0MHz(VCB 6V, IE -1mA)

NECエレクトロニックス・データブック 1963版より引用

NECエレクトロニックス・データブック 1962年版(昭和37年5月12日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1963年版(昭和38年5月15日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1964-1965年版(昭和39年10月15日発行):現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版:保守品

投稿者 fff : 12:39 AM | コメント (0)


2SD191

投稿者 fff : 11:39 PM | コメント (0)


2SD192

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投稿者 fff : 11:14 PM


2SD192N

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造:アロイ型
用途:低周波電力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 30V
VEBO 12V
IC 100mA
PC 150mW
PC 100mW(at 45℃)
Tj 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 10μA(VCB 30V)
hFE Min 60 Max 100(VCE 1V, IC 50mA)
fαb Typ 1MHz(VCB 6V, IE -1mA)
NF Max 10dB(VCE 6V, IE -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω)

NHK半導体ハンドブック 技術管理局編(1966年)より引用

<最大定格>
Tstg -55 〜 85℃

東芝電子管・半導体ハンディブック(1968年版)より引用

投稿者 fff : 11:15 PM


2SD194

投稿者 fff : 11:46 PM | コメント (0)


2SD20


構造:アロイ型
用途:低周波中出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCER 18V (RBE 10kΩ)
IC 300mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -65〜+100℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 12μA(VCB 12V)
IEBO Max 12μA (VEB 3V)
hFE Min 34 Max 65 Typ 50(VCE 1V, IC 20mA)
VBE Max 0.5V(VCE 1V, IC 20mA)
fαb Typ 1.0MHz(VCB 6V, IE -1mA)

NECエレクトロニックス・データブック 1963年版より引用

NECエレクトロニックス・データブック 1962年版(昭和37年5月12日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1963年版(昭和38年5月15日発行):現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1964-1965年版(昭和39年10月15日発行):現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版:保守品

投稿者 fff : 01:12 AM | コメント (0)


2SD21

投稿者 fff : 09:02 AM


2SD25(1)

構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCER 25V (RBE 10kΩ)
VEBO 10V
IC 100mA
PC 100mW
Tj 75℃
Tstg -55℃〜+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 14μA(VCB 12V)
hFE Min 20 Max 100 Typ 70(VCE 1V, IC 50mA)
fαb Min 0.5MHz Typ 2.0MHz(VCB 6V, IE -1mA)

NEC半導体規格一覧表1966年4月版より引用

NEC半導体規格一覧表1966年4月版:現行品
NECエレクトロニックス・データブック 1969年版(昭和44年7月1日発行):記載なし

投稿者 fff : 02:02 AM | コメント (0)


2SD30

構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCER 25V (RBE 100Ω)
VEBO 12V
IC 200mA
PC 300mW (放熱器R1A使用時)
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 15μA(VCB 20V)
IEBO Max 12μA(VEB 6V)
fαb Typ 1MHz(VCB 6V, IC 1mA)
hFE Min 65 Max 300 Typ 100 (VCE 1.5V, IC 100mA)

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 67 Max 275 Typ 100 (VCE 1.5V, IC 100mA)
(緑 67-110, 橙 90-140, 青 110-165, 黄 135-195, 無色 155-220, 赤 180-275)
rbb' Max 200Ω (VCE 1.5V, IC 30mA, f 6MHz)

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

投稿者 fff : 01:54 AM | コメント (0)


2SD32

投稿者 fff : 02:32 AM | コメント (0)


2SD33

投稿者 fff : 02:11 AM


2SD352

構造:アロイ型
用途:中出力電力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 32V
VEBO 10V
IC 1A
PC 650mW(12.5cm2 放熱板付)
Tj 90℃
Tstg -55〜+90℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
VCBO Min 32V(IC 200μA)
ICBO Max 25μA(VCB 10V)
hFE1 Min 63 Max 295 (VCB 0, IE -50mA)
hFE2 Min 69 Max 273 (VCB 0, IE -300mA パルス測定)
(ランク V,K,L 69-125 G,H,I 83-150 D,E,F 100-177 A,B,C 120-200 R,S,T 150-273)
fαe Min 10kHz (VCB 2V, IE -10mA)
VCE(sat) Typ 0.17V(IC 500mA, IB 50mA パルス測定)

NF Max 25dB (VCB 5V, IE -5mA, f 1kHz)

投稿者 fff : 01:29 AM | コメント (0)


2SD367

構造:アロイ型
用途:中出力電力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 6V
ICM 500mA
IC 300mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 20μA(VCB 12V)
IEBO Max 20μA(VEB 6V)
hFE Min 46 Max 334 (VCB 0.5V, IE -150mA)
(ランク F 46-79 E 57-97 D 69-120 C 90-150 B 111-188 A 150-250 P 192-334)
fαe Typ 30kHz (VCB 2V, IE -10mA)
VBE Typ 0.3V(VCB 0.5V, IE -150mA)
VCE(sat) Typ 0.1V(IC 300mA, IB 30mA)

NF Max 30dB (VCB 6V, IE -5mA, f 1kHz)

投稿者 fff : 01:27 AM


2SD37

投稿者 fff : 12:34 AM | コメント (0)


2SD38

投稿者 fff : 12:22 AM | コメント (0)


2SD43

投稿者 fff : 07:42 AM


2SD43A

投稿者 fff : 01:12 AM | コメント (0)


2SD44

投稿者 fff : 12:36 AM


2SD61

These photos with coutesy of 鳩歩堂.

投稿者 fff : 12:32 AM


2SD63

投稿者 fff : 02:55 AM


2SD64

投稿者 fff : 02:35 AM | コメント (0)


2SD65

投稿者 fff : 02:56 AM | コメント (0)


2SD66

投稿者 fff : 12:20 AM


2SD72

構造:アロイ型
用途:低周波出力増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCER 25V (RBE 100Ω)
VEBO 6V
IC 600mA
PC 720mW
Tj 85℃
Tstg -55~+85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 50μA(VCB 20V)
IEBO Max 80μA(VEB 4V)
fαb Typ 755kHz(VCB 1V, IC 0.2A)
hFE Min 50 Max 300 Typ 80 (VCE 1V, IC 0.2A)
rbb' Max 55Ω (VCE 1.5V, IC 30mA)

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 50 Max 275 Typ 80 (VCE 1V, IC 0.2A)
(白 50-66, 紫 54-74, 桃 60-83, 黒 67-94, 茶 76-110, 赤 90-140, 橙 110-165, 黄 135-220, 緑 180-275)
rbb' Typ 25Ω Max 55Ω (VCE 1.5V, IC 30mA, f 6MHz)

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック (昭和43年1月5日発行):現行品
'71 三洋半導体ハンドブック (昭和45年9月1日発行):現行品
'76 三洋半導体ハンドブック (昭和50年7月31日発行):現行品

投稿者 fff : 12:21 AM


2SD75

構造:アロイ型
用途:低周波小信号増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VEBO 12V
IC 70mA
IE -70mA
PC 100mW
Tj 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 14μA(VCB 25V)
IEBO Max 12μA(VEB 12V)
hie Typ 1200Ω(VCE 6V, IE -1mA)
hre Typ 3.2×10-4(VCE 6V, IE -1mA)
hoe Typ 20μmho(VCE 6V, IE -1mA)
hfe Typ 40(VCE 6V, IE -1mA)
fαb Typ 3MHz(VCB 6V, IE -1mA)
NF Typ 4.5dB(VCE 6V, IE -1mA)
PG Typ 44dB(エミッタ接地, Ri 800Ω, Ro 81kΩ) 34dB(ベース接地, Ri 120Ω, Ro 510kΩ) 16dB(コレクタ接地, Ri 33kΩ, Ro 83kΩ)
(VCE 6V, IE -1mA)

日立半導体製品特性一覧表(1961.10)より引用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 25V
VCES 25V
VEBO 12V
IC 100mA
IE -100mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -55 〜 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 14μA(VCB 25V)
hie Typ 1260Ω(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
hre Typ 3.0×10-4(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
hfe Typ 40(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
(ランク:A 30, B 40, C 55)
fαb Typ 3.0MHz(VCB 6V, IE -1mA)
NF Typ 6dB(VCE 6V, IE -1mA, f 1kHz, Δf 100Hz, Rg 500Ω)
PG Typ 45dB(エミッタ接地) 35dB(ベース接地) 16dB(コレクタ接地)
(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)

'67日立半導体ハンドブック(昭和41年10月1日発行)より引用

日立半導体製品特性一覧表(1961.10):現行品
'67日立半導体ハンドブック(昭和41年10月1日発行):現行品
'69日立半導体ハンドブック(昭和44年1月20日発行):廃止予定

投稿者 fff : 01:10 AM


2SD75H

構造:アロイ型
用途:低速度スイッチング用/低周波小信号増幅用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 30V
VEBO 12V
IC 70mA
PC 100mW
Tj 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBO Max 10μA(VCE 30V)
hFE Min 45 Max 80(VCE 1.5V, IE -35mA)
(ランクAはhFE Min 30 Max 60(VCE 1.5V, IE -35mA))

日立通信工業用半導体製品一覧表(1962/11)より引用

<最大定格(Ta=25℃)>
VCBO 30V
VCEO 30V
VEBO 12V
IC 100mA
IE -100mA
PC 150mW
Tj 85℃
Tstg -55 〜 85℃

<電気的特性(Ta=25℃)>
ICBX Max 10μA Typ 6μA(VCB 30V, VEB 6V)
ICEO Max 1.0mA Typ 0.4mA(VCE 30V)
IEBO Max 7.0μA Typ 3.5μA(VEB 12V)
hFE Min 40 Max 80 Typ 60(VCE 1V, IC 50mA)
hie Typ 1.15kΩ(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
hre Typ 25×10-4(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
hfe Typ 40(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
hoe Typ 16μmho(VCE 6V, IE -1mA, f 270Hz)
fαb Typ 3MHz(VCB 6V, IE -1mA)
hie(real) Typ 110Ω(VCE 6V, IE -1mA, f 10MHz)
Cob Typ 4.2pF(VCB 6V, IE 0, f 1MHz)

'69日立半導体ハンドブック(昭和44年1月20日発行)より引用

日立通信工業用半導体製品一覧表(1962/11):現行品
'67日立半導体ハンドブック(昭和41年10月1日発行):現行品
'69日立半導体ハンドブック(昭和44年1月20日発行):現行品

hreについて Typ 2.5×10-4の間違い?

投稿者 fff : 02:00 AM


2SD77

投稿者 fff : 01:10 AM


2SD77AH

投稿者 fff : 01:14 AM | コメント (0)


2SD96

投稿者 fff : 07:46 AM | コメント (0)