＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -25V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -10V）
hfe Min 40 Max 80 Typ 60 （V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 1200kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA,　f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.3μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
C_ob 35pF (I_E 0, f 1MHz)

NF Max 5dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：保守品

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -25V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -10V）
hfe Min 40 Max 80 Typ 60 （V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 1200kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.3μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
C_ob 35pF (I_E 0, f 1MHz)

NF Max 10dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：保守品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -25V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 180mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -10V）
hfe Min 40 Max 80 Typ 60 （V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 1200kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.3μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
C_ob 35pF (I_E 0, f 1MHz)

NF Max 10dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：保守品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：通信工業用 低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 1.2MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Typ 70（V_CE -1V, I_C -50mA）
h_IE Typ 300Ω（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：廃止品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：通信工業用 低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -500mA
P_C 3W（300cm²放熱板付）
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -30V）
I_EBO Max -100μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 500kHz（V_CB -2V, I_C -200mA）
h_FE Min 20 Max 120 Typ 70 （V_CE -2V, I_C -200mA）
V_CE(SAT) Typ 0.4V（I_B -20mA, I_C -200mA）
h_IE Typ 200Ω （V_CE -2V, I_C -200mA）
V_BE Typ 160mV（V_CE -2V, I_C -5mA）

NEC Electronics Data Book '61より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：保守品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品
（1964-1965年版より電々公社指定品の記載）
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：通信工業用 低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
I_C -500mA
P_C 500mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -40V）
h_FE Min 15 Max 130 Typ 70 （V_CE -2V, I_C -200mA）

NEC Electronics Data Book '61より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：保守品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：通信工業用 低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
I_C -500mA
P_C 3W（300cm² 放熱板付）
T_j 75℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -40V）
h_FE Min 15 Max 130 Typ 70 （V_CE -2V, I_C -200mA）

NEC Electronics Data Book '61より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：保守品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：低周波小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
I_C -50mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
h_fe Min 18 Max 41 Typ 30 （V_CE -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Max 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波段間増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
h_fe Min 37 Max 57 Typ 45 （V_CE -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Max 10dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波段間増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hfe Min 43 Max 79 Typ 60 （V_CE -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Max 10dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波段間増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hfe Min 61 Max 101 Typ 80 （V_CE -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Max 10dB（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf＜100Hz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

This photo with courtesy of E.Saitoh.

構造：アロイ型
用途：低周波小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hFE Min 45 Max 85 Typ 65 （V_CE -1V, I_C -20mA）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hFE Min 60 Max 110 Typ 85 （V_CE -1V, I_C -20mA）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hFE Min 80 Max 145 Typ 110 （V_CE -1V, I_C -20mA）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -50mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -6V）
hFE Min 105 Max 235 Typ 140 （V_CE -1V, I_C -20mA）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
h_ib 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb 2.5×10^-4（V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob 0.5μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：電圧増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
V_EBO -2.5V
I_C -20mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55～85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -6.5μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -14μA (V_EB -2.5V)
h_fe Typ 70（V_CE -12V, I_E 2mA）
f_αb 0.7MHz （V_CB -12V, I_E 2mA）

テン半導体製品規格一覧表（1967.10）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967.10）：現行品

構造：合金接合型
用途：高耐圧スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -105V
V_CER -60V （R_BE = 10kΩ）
V_EBO -50V
I_C(peak) -100mA
P_C 50mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA (V_CB -2.5V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -50V)
h_FE Typ 60 (V_CE -0.35V, I_C -5mA)
f_αb Typ 0.5 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 8 pF (V_CB -6V, I_C 0)
V_CE(SAT) Max -0.35V (I_C -5mA, I_B -0.25mA)
V_BE(SAT) Max -0.4V (I_C -5mA, I_B -0.25mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

This photo with coutesy of E.Saitoh.

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：合金接合型
用途：大電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_CES -50V
V_EBO -12V
I_C -1.5A
P_C 65W
R_th 1.0℃/W
T_j 90℃
T_stg -65〜90℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -2mA (V_CB -30V)
I_EBO Max -2.2mA (V_EB -12V)
h_FE Typ 65 (V_CE -1.5V, I_C -1A)
f_αe Typ 5 kHz (V_CE -1.5V, I_C -1A)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：アロイ型
用途：低周波低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_EBO -15V
I_C -50mA
P_C 100mW（T_a=25℃）
P_C 58mW（T_a=50℃）
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA Typ 4μA（V_CB -25V）
I_EBO Max -10μA Typ 4μA（V_EB -12V）
h_ie Typ 3.2kΩ（V_CE -1.5V, I_E 0.5mA, f 1kHz）
h_re Typ 5.3×10^-4（V_CE -1.5V, I_E 0.5mA, f 1kHz）
h_fe Min 30 Max 240 Typ 100（V_CE -1.5V, I_E 0.5mA, f 1kHz）
（B 30-65, C 45-100, D 60-140, E 100-240）
h_oe Typ 19μmho（V_CE -1.5V, I_E 0.5mA, f 1kHz）
NF Max 6dB Typ 4dB（V_CE -4V, I_E 0.5mA, f 1kHz, R_g 500Ω）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）

三菱半導体ハンドブック（総合版1971）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：現行品
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波電圧増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_EBO -15V
I_C -50mA
P_C 100mW（T_a=25℃）
P_C 58mW（T_a=50℃）
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -25V）
I_EBO Max -10μA（V_EB -12V）
h_ie Typ 2.1kΩ（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）
h_re Typ 3.2×10^-4（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）
h_fe Min 20 Max 360 Typ 90（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）
（A 20-50, B 30-65, C 45-100, D 60-140, E 100-240, F 160-360）
h_oe Typ 21μmho（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）

三菱半導体ハンドブック（総合版1971）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：現行品
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（300〜500mW出力用）

特性については三菱：2SB136を参照。

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（300〜500mW出力用）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -25V）
I_EBO Max -10μA（V_EB -12V）
I_C Min 30mA Max 80mA Typ 55mA（V_CE -1.5V, I_E 1mA）
（A 30-45, B 40-55, C 50-70, D 60-80）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）

三菱半導体ハンドブック（総合版1971）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：現行品
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：現行品

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三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：保守品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

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構造：アロイ型
用途：低周波大出力電力増幅用，高逆耐圧用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_EBO -12V
I_C -2A
P_C 10W（200×200×1.5mmアルミ放熱版付）
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -3mA（V_CB -60V）
I_EBO Max -3mA（V_EB -12V）
h_FE Min 25 Max 250 Typ 50（V_CE -1.5V, I_C -0.75A）
f_αb Min 400kHz（V_CB -2V, I_E 0.2A）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：保守品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

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構造：アロイ型
用途：電源用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_CEO -30V
V_EBO -30V
I_C -7A
P_C 40W
P_C 26W（at 45℃）
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max 500μA（V_CB -30V）
V_CEO Min 30V（I_C -0.2A）
hFE Min 40 Max 80（V_CE -15V, I_C -6A）
f_αb Typ 250kHz（V_CB -1.5V, I_E 0.5A）
V_CE(SAT) Max -0.6V（I_B -0.6A, I_C -6A）
V_BE(SAT) Max 12V（I_B -0.6A, I_C -6A）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

構造：合金接合型
用途：低速度大電力

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -80V
V_EBO -60V
I_C -5A
P_C 50W
T_j 100℃
T_stg -65〜100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.5mA (V_CB -30V)
I_EBO Max -0.2mA (V_EB -12V)
h_FE Typ 40 (V_CE -1.5V, I_C -3A)
f_αe Typ 5 kHz (V_CE -1.5V, I_E 1A)
V_CE(SAT) Max -0.8V (I_C -4A, I_B -0.4A)
V_BE(SAT) Max -1.5V (I_C -4A, I_B -0.4A)

t_r 90μs
t_stg 20μs
t_f 80μs
テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：記載なし
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：記載なし
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 650kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 34 Max 64 Typ 50（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品？
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：保守品

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 180mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 650kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 34 Max 64 Typ 50（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：廃止品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 800kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 46 Max 93 Typ 70（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品？
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：保守品

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 180mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 800kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 46 Max 93 Typ 70（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：廃止品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 650kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 67 Max 138 Typ 100（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品？
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：保守品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：保守品

構造：アロイ型
用途：低周波小／中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 180mW
T_j 75℃
T_stg -55℃〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CEO Max -10μA（V_CB -6V）
f_αb Typ 650kHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 100Hz, R_g 500Ω, Δf < 100Hz）
h_FE Min 67 Max 138 Typ 100（V_CE -1V, I_C -50mA）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：廃止品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：廃止品

構造：合金接合型
用途：中電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CES -20V
V_EBO -2.5V
I_C -500mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -2.5V)
h_FE Typ 120 (V_CE -1V, I_C -150mA)
h_fe Typ 80 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 1.2 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

h_ie Typ 2.4 Ω (V_CE -6V, I_C 1mA)
h_re Typ 8.9 ×10^-4 (V_CE -6V, I_C 1mA)
h_oe Typ 38 μmho (V_CE -6V, I_C 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：合金接合型
用途：電圧増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -2.5V
I_C -100mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA (V_CB -9V)
I_EBO Max -14μA (V_EB -2.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -3V, I_E 1mA)
f_αb Typ 0.8 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

h_ie Typ 1.3 Ω (V_CE -3V, I_C 1mA)
h_re Typ 4.9 ×10^-4 (V_CE -3V, I_C 1mA)
h_oe Typ 20 μmho (V_CE -3V, I_C 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：合金接合型
用途：小電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -2.5V
I_C -100mA
P_C 150mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA (V_CB -9V)
I_EBO Max -14μA (V_EB -2.5V)
h_FE Typ 80 (V_CE -1V, I_C -50mA)
h_fe Typ 85 (V_CE -3V, I_E 1mA)
f_αb Typ 1 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

h_ie Typ 2.35 Ω (V_CE -3V, I_C 1mA)
h_re Typ 6.3 ×10^-4 (V_CE -3V, I_C 1mA)
h_oe Typ 24.5 μmho (V_CE -3V, I_C 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：アロイ型
用途：低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
hfe Min 20 Typ 30 Max 40（V_CB -6V, I_E 1mA）
V_CE(sat) Typ -0.12V（I_C -10mA, I_B -1mA）

NF Typ 4dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：アロイ型
用途：低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CB -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
hfe Min 40 Typ 60 Max 85 （V_CB -6V, I_E 1mA）
V_CE(sat) Typ -0.12V（I_C -10mA, I_B -1mA）

NF Typ 4dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：アロイ型
用途：小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
V_EBO -10V
I_CM -300mA
I_C -150mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA Max -15μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
h_FE Min 35 Typ 50 Max 63 （V_CE -1V, I_B 2mA）
（ランク E 35-47 D 41-54 A 48-63）
V_CE(sat) Typ -0.12V（I_C -100mA, I_B -10mA）

NF Typ 5dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：アロイ型
用途：低雑音低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
hfe Min 40 Typ 100 Max 220 （V_CB -6V, I_E 1mA）
（ランク B 40-85 C 55-130 D 85-220）
V_CE(sat) Typ -0.12V（I_C -10mA, I_B -1mA）

NF Typ 2dB Max 6dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：合金接合型
用途：中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CBO(peak) -20V
V_CEO -20V
V_CEO(peak) -20V
V_EBO -6V
V_EBO(peak) -6V
I_C -300mA
I_C(peak) -300mA
I_E 310mA
I_E(peak) 310mA
P_C 225mW（放熱板なし）
P_C 550mW（12.5cm²以上の放熱板つき）
Rth Max 0.22℃/mW（放熱板なし）
Rth Max 0.09℃/mW（12.5cm²以上の放熱板つき）
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -6V)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 10mA)
NF Max 30dB (V_CE -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 50mA)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用
（形状：TC-12（上記写真参照））

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CBO(peak) -20V
I_C -300mA
I_C(peak) -300mA
I_E 310mA
I_E(peak) 310mA
P_C 550mW（12.5cm²放熱板つき）
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -6V)
h_FE Typ 100 (V_CE -6V, I_E 50mA)
PG 120mW (Ａ級シングル，12.5cm²放熱板つき)
PG 1000mW (Ｂ級プッシュプル，12.5cm²放熱板つき)

ナショナルトランジスタ折込より引用（形状：TO-1）

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）：現行品（形状：TC-12）
（形状：TO-1に変更）
1964年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和39年1月5日発行）：記載なし

構造：アロイ型
用途：低周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -100mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
hfe Min 55 Max 360 Typ 100 （V_CB -6V, I_E 1mA）
（ランク A 55-130 B 85-220 C 150-360）
V_CE(sat) Typ -0.08V（I_C -10mA, I_B -1mA）

NF Typ 4dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：アロイ型
用途：小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
V_EBO -10V
I_CM -300mA
I_C -150mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA Max -15μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
h_FE Min 57 Max 140 （V_CE -1V, I_B 2mA）
（ランク R 57-74 P 66-86 O 76-99 M 89-115 N 105-140）
V_CE(sat) Typ 0.12V（I_C 100mA, I_B 10mA）

NF Typ 3dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：アロイ型
用途：小出力電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_EBO -10V
I_CM -300mA
I_C -150mA
P_C 125mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -3μA Max -12μA（V_CB -10V）
I_EBO Typ -2μA Max -15μA（V_EB -10V）
f_αb Typ 700kHz（V_C -6V, I_E 1mA）
h_FE Min 30 Max 140 （V_CE -1V, I_B 2mA）
V_CE(sat) Typ 0.12V（I_C 100mA, I_B 10mA）

NF Typ 3dB Max 16dB（V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

構造：合金接合型
用途：中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CBO(peak) -20V
V_CEO -20V
V_CEO(peak) -20V
V_EBO -6V
V_EBO(peak) -6V
I_C -300mA
I_C(peak) -300mA
I_E 310mA
I_E(peak) 310mA
P_C 225mW（放熱板なし）
P_C 550mW（12.5cm²以上の放熱板つき）
Rth Max 0.22℃/mW（放熱板なし）
Rth Max 0.09℃/mW（12.5cm²以上の放熱板つき）
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -6V)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 10mA)
NF Max 30dB (V_CE -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 50mA)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -6V
I_C -300mA
P_C 550mW（12.5cm²放熱板つき）
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -6V)
h_FE Min 50 Typ 100 Max 180 (V_CE -6V, I_E 50mA)
h_FE Min 35 Typ 60 Max 110 (V_CE -0.5V, I_E 300mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 10mA)
NF Typ 10 Max 30dB (V_CB -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 50mA)

1964年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和39年1月5日発行）より引用

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）：現行品
1964年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和39年1月5日発行）：現行品
ナショナル半導体テクニカルガイドブック（昭和40年9月25日発行）：現行品
1967年ナショナル半導体ハンドブック（昭和41年12月15日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -6V
I_C -300mA
P_C 550mW（12.5cm²放熱板つき）
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -6V)
h_FE Min 50 Typ 100 Max 180 (V_CE -6V, I_E 50mA)
h_FE Min 35 Typ 60 Max 110 (V_CE -0.5V, I_E 300mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 10mA)
NF Typ 10 Max 30dB (V_CB -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 50mA)

1964年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和39年1月5日発行）より引用

1964年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和39年1月5日発行）：現行品
ナショナル半導体テクニカルガイドブック（昭和40年9月25日発行）：現行品
1967年ナショナル半導体ハンドブック（昭和41年12月15日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：中出力電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_EBO -6V
I_C -300mA
P_C 550mW（12.5cm²放熱板つき）
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -6V)
h_FE Min 50 Typ 100 Max 180 (V_CE -6V, I_E 50mA)
h_FE Min 35 Typ 60 Max 110 (V_CE -0.5V, I_E 300mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 10mA)
NF Typ 10 Max 30dB (V_CB -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 50mA)

ナショナル半導体テクニカルガイドブック（昭和40年9月25日発行）より引用

ナショナル半導体テクニカルガイドブック（昭和40年9月25日発行）：現行品
1967年ナショナル半導体ハンドブック（昭和41年12月15日発行）：記載なし

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_CES -40V（R_BE 0）
V_EBO -6V
I_C -300mA
P_C 225mW
P_C 135mW（at 45℃）
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -16μA（V_CB -12V）
hFE Min 75 Max 150（V_CE -1V, I_C -300mA）
hFE Min 100 Max 200（V_CE -1V, I_C -50mA）
V_CES Min 40V（R_BE 0, I_C -200μA）
V_BE Max 0.8V（V_CE -1V, I_C -300mA）
NF Max 15dB（V_CB -6V, I_E 5mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_stg -55 〜 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
hFE Typ 100（V_CE -1V, I_C -300mA）

1967年ナショナル半導体ハンドブック（昭和41年12月15日発行）より引用

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
I_C -600mA
I_E 600mA
P_C 1.8W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA Typ 7μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -20μA Typ 5μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 12.5 Typ 30（V_CE -2V, I_C -250mA）

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：中電力増幅／低速度中電力スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_CES -40V
V_EBO -12V
I_C -0.5A
P_C 12W
R_th 5.4℃/W
T_j 90℃
T_stg -55〜90℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.2mA (V_CB -30V)
I_EBO Max -0.2mA (V_EB -12V)
h_FE Typ 70 (V_CE -1.5V, I_C -0.5A)
f_αe Typ 13 kHz (V_CE -1.5V, I_C -0.5A)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
NF Typ 10dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 2kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 0.5×10^-3 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 45（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 20μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 33dB Max 38dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
C_ob Typ 25pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
NF Typ 8dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hie Typ 6kΩ（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hre Typ 1.3×10^-3 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Typ 120（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hoe Typ 40μmho （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 36dB Max 42dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
hFE Min 50 Max 220 Typ 100（V_CE -1.5V, I_C -30mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小信号増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
NF Typ 12dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 500Ω, Δf 100Hz）
hfe Typ 20（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）

PG Min 30dB Max 35dB （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz, Rg 2kΩ, R_L 5kΩ）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：保守品

＜規格＞
通信工業用：グリーン，一般：黒

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CB -25V
V_EB -12V
I_C -250mA
P_C 250mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA（V_CB -25V）
fab Typ 1.0MHz（V_C -6V, I_E 1mA）
hFE Typ 40-145（V_C -1V, I_C -100mA）

＜動作例（Ta=25℃）P.P.増幅＞
Vc -6V
Ic -75mA
f 1kHz
ri 1.5kΩ
R_L 200Ω
Po 0.3W
P・G 2.8dB

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -80V
I_C -600mA
I_E 600mA
P_C 1.8W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -20μA Typ 7μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -20μA Typ 5μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 12.5 Typ 30（V_CE -2V, I_C -250mA）

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用（電電公社認定品）

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -32V
I_C -2.5A
I_E 2.5A
P_C 5.5W（T_C=25℃）
T_j 70℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -100μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -100μA（V_EB -5V）
h_FE Min 20 Max 250 Typ 50（V_CE -2V, I_C -50mA）
h_FE Min 15 Typ 25（V_CE -2V, I_C -1.5A）

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

＜規格＞
通信工業用：グリーン，一般：黒

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CER -32V
V_EB -12V
I_C -400mA
P_C 250mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -40μA（V_CB -12V）
fab Typ 0.5MHz（V_C -1V, I_E 100mA）
hFE Typ 30-150（V_C -1V, I_C -150mA）

＜動作例（Ta=25℃）P.P.増幅＞
10cm²放熱板を用い、P.P.にて使用
Vc -9V
Ic -187mA
f 1kHz
ri 1.2kΩ
R_L 125Ω
Po 1.1W
P・G 2.7dB

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

＜規格＞
一般

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CER -45V
V_EB -12V
I_C -400mA
P_C 250mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -40μA（V_CB -12V）
fab Typ 0.5MHz（V_C -1V, I_E 100mA）
hFE Typ 30-150（V_C -1V, I_C -150mA）

＜動作例（Ta=25℃）P.P.増幅＞
10cm²放熱板を用い、P.P.にて使用
Vc -9V
Ic -187mA
f 1kHz
ri 1.2kΩ
R_L 125Ω
Po 1.1W
P・G 2.7dB

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

＜規格＞
通信工業用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CER -35V
V_EB -12V
I_C -400mA
P_C 300mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -30μA（V_CB -12V）
fab Typ 0.5MHz（V_C -1V, I_C -100mA）
hFE Typ 37-300（V_C -1V, I_C -150mA）
飽和電圧；（I_C -150mA, I_B -15mA）
V_BE Typ -0.35V
V_CE Typ -0.1V
スイッチング時間；（I_C -150mA, I_B -15mA）
t_r Typ 0.6μS
t_stg Typ 5.0μS
t_f Typ 0.7μS

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

＜規格＞
通信工業用：グリーン，一般：黒

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CER -32V
V_EB -12V
I_C -400mA
P_C 250mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -40μA（V_CB -12V）
fab Typ 0.5MHz（V_C -1V, I_E 100mA）
hFE Typ 70-290（V_C -1V, I_C -150mA）

＜動作例（Ta=25℃）P.P.増幅＞
10cm²放熱板を用い、P.P.にて使用
Vc -9V
Ic -187mA
f 1kHz
ri 1.7kΩ
R_L 125Ω
Po 1.1W
P・G 3.0dB

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

構造：合金接合型
用途：低周波電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_CER -60V （R_BE 100Ω）
V_EBO -10V
I_C -3A
P_C 24W
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -500μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -500μA (V_EB -10V)
h_FE Min 25 Typ 80 Max 300 (V_CE -1.5V, I_C -1A)
f_αb Typ 500 kHz (V_CB -1.5V, I_C -0.2A)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：Power Amp

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CER -20V（R_BE 100Ω）
V_EBO -10V
I_C -3A
P_C 24W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.5mA（V_CB -20V）
hFE Typ 80（V_CE -1.5V, I_C -1A）
f_αb Typ 0.5MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.2A）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：アロイ型
用途：低周波電力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CER -25V（R_BE 100Ω）
V_EBO -10V
I_C -3A
P_C 24W
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -0.5mA（V_CB -20V）
I_EBO Max -0.5mA（V_EB -10V）
hFE Min 25 Max 300 Typ 80（V_CE -1.5V, I_C -5A）
f_αb Typ 0.5MHz （V_CE -1.5V, I_C -0.2A）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：低速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -80V
V_CER -40V (R_BE 10kΩ)
V_CEX -40V (V_BE 2V)
V_EBO -20V
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -50V）
hFE Min 19 Max 121 Typ 50 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 17 Max 110 Typ 50 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
r_bb' 200Ω （f 10MHz）
V_CE(sat) Typ -0.3V Max -0.5V（I_C -200mA, I_B -20mA）
V_BE(sat) Typ -0.7V Max -1.2V（I_C -200mA, I_B -20mA）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：保守品

構造：アロイ型
用途：低周波小中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -200mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 19 Max 42 Typ 31 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 17 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 1.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob 25pF （V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Max 8dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版より引用

h_ib 30Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -200mA
P_C 300mW (放熱器R1A使用時)
T_j 85℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -20V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -6V）
f_αb Typ 1MHz（V_CB -6V, I_C -1mA）
hFE Min 65 Max 300 Typ 100 （V_CE -1.5V, I_C -100mA）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

hFE Min 67 Max 275 Typ 100 （V_CE -1.5V, I_C -100mA）
（緑 67-110, 橙 90-140, 青 110-165, 黄 135-195, 無色 155-220, 赤 180-275）
r_bb' Typ 75Ω （V_CE -1.5V, I_C -30mA, f 6MHz）

三洋半導体ハンドブック1971年版より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -200mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 34 Max 65 Typ 50 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 31 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 2.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob 25pF （V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Max 8dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版より引用

h_ib 30Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -200mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 53 Max 90 Typ 72 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 48 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 2.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob 25pF （V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Max 8dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版より引用

h_ib 30Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
V_EBO -10V
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 53 Max 90 Typ 72 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 48 （V_CE -1V, I_C -100mA）

V_CE(sat) Typ -0.29V（I_C -500mA, I_B -50mA）
f_αb Typ 2.5MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
NF Max 8dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -200mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 72 Max 121 Typ 97 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 65 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 2.5MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob 25pF （V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Max 8dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版より引用

h_ib 30Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波小中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
I_C -200mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 99 Max 198 Typ 150 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 90 （V_CE -1V, I_C -100mA）
f_αb Typ 3.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob 25pF （V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Max 8dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版より引用

h_ib 30Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：低周波中出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CER -20V (R_BE 10kΩ)
V_EBO -10V
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -8μA Max -16μA（V_CB -25V）
I_EBO Typ -2μA （V_EB -3V）
hFE Min 99 Max 198 Typ 150（V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 48 （V_CE -1V, I_C -100mA）

V_CE(sat) Typ -0.26V（I_C -500mA, I_B -50mA）
f_αb Typ 3.0MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
NF Max 8dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz）

NECエレクトロニックス・データブック　1969年版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：通信工業用　低周波段間増幅用，スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_EBO -15V
V_CER -30V (R_BE 10kΩ)
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -5μA Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Typ -4μA Max -10μA（V_EB -15V）
hFE Min 19 Max 42 Typ 35 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 13 Typ 31 （V_CE -1V, I_C -100mA）
V_CE(SAT) Min -55mV Max -130mV Typ -83mV（I_C -20mA, I_B -2mA）
V_BE Min -0.22V Max -0.37V Typ -0.33V （V_CE -1V, I_C -20mA）
h_ib Min 26Ω Max 36Ω Typ 31Ω （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb Min 1.0 Max 10 Typ 4.0×10^-4（V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_fe Min 16 Max 41 Typ 30 （V_CE -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob Min 0.10 Max 1.30 Typ 0.65μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 0.8MHz Typ 2.0MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
C_ob Typ 25pF Max 40pF（V_CB -5V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Typ 6dB Max 15dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf 1Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：アロイ型
用途：通信工業用　低周波段間増幅用，スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_EBO -15V
V_CER -30V (R_BE 10kΩ)
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -65〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -5μA Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Typ -4μA Max -10μA（V_EB -15V）
hFE Min 34 Max 65 Typ 52 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 30 Typ 45 （V_CE -1V, I_C -100mA）
V_CE(SAT) Min -65mV Max -130mV Typ -83mV（I_C -20mA, I_B -1.33mA）
V_BE Min -0.20V Max -0.36V Typ -0.30V （V_CE -1V, I_C -20mA）
h_ib Min 26Ω Max 35Ω Typ 31Ω （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb Min 1.0 Max 11 Typ 5.0×10^-4（V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_fe Min 30 Max 64 Typ 44 （V_CE -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob Min 0.10 Max 1.20 Typ 0.60μmho （V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 1.0MHz Typ 2.5MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
C_ob Typ 25pF Max 40pF（V_CB -5V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Typ 6dB Max 15dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf 1Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_EBO -15V
V_CER -30V (R_BE 10kΩ)
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -5μA Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Typ -4μA Max -10μA（V_EB -15V）
I_CER Max -600μA（V_CB -30V, R_BE 10kΩ）
hFE Min 53 Max 90 Typ 73 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 47 Typ 66 （V_CE -1V, I_C -100mA）
V_CE(SAT) Min -70mV Max -130mV Typ -85mV（I_C -20mA, I_B -1mA）
V_BE Min -0.19V Max -0.32V Typ -0.28V （V_CE -1V, I_C -20mA）
hfe Min 44 Max 88 Typ 64 （V_CE -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ib Min 26Ω Max 33Ω Typ 30Ω （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb Min 1.0 Max 12 Typ 6.5×10^-4（V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob Min 0.1 Mix 1.0 Typ 0.42μmho （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 1.3MHz Typ 3.0MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
C_ob Typ 25pF Max 40pF（V_CB -5V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Typ 6dB Max 15dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf 1Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：通信工業用　低周波段間増幅用，スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_EBO -15V
V_CER -30V (R_BE 10kΩ)
I_C -500mA
P_C 225mW
T_j 85℃
T_stg -55〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -5μA Max -10μA（V_CB -30V）
I_EBO Typ -4μA Max -10μA（V_EB -15V）
I_CER Max -600μA（V_CB -30V, R_BE 10kΩ）
hFE Min 72 Max 121 Typ 91 （V_CE -1V, I_C -20mA）
Min 65 Typ 86 （V_CE -1V, I_C -100mA）
V_CE(SAT) Min -80mV Max -133mV Typ -93mV（I_C -20mA, I_B -0.67mA）
V_BE Min -0.18V Max -0.30V Typ -0.27V （V_CE -1V, I_C -20mA）
hfe Min 60 Max 120 Typ 81 （V_CE -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ib Min 26Ω Max 31Ω Typ 29Ω （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_rb Min 1.0 Max 14 Typ 8.0×10^-4（V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
h_ob Min 0.1 Mix 0.9 Typ 0.37μmho （V_CB -5V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 1.5MHz Typ 3.3MHz（V_CB -5V, I_E 1mA）
C_ob Typ 25pF Max 40pF（V_CB -5V, I_E 1mA, f 1MHz）

NF Typ 6dB Max 15dB（V_CE -5V, I_E 1mA, f 1kHz, Δf 1Hz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NEC Electronics Data Book '61 （発行日不詳：昭和35年12月？）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：現行品

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：アロイ型

＜規格＞
一般， 低雑音

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CB -18V
V_EB -12V
I_C -40mA
P_C 60mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -3μA（V_CB -12V）
fab Typ 5MHz（V_C -6V, I_E 1mA）
Cob Typ 13pF（V_C -6V, I_E 1mA）
hfe Typ 50-200（V_C -6V, I_E 1mA）

＜動作例（Ta=25℃）＞
Vc -3V
I_E -0.5mA
f 1kHz
NF 7dB max

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：アロイ型
用途：電源用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -60V
V_CEO -30V
V_EBO -12V
I_C -1.5A
P_C 24W
R_th 2.5℃/W
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -160μA（V_CB -12V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hfe Min 34 Max 67（V
_CE -1.5V, I_C -1A）
f_αb Typ 250kHz （V_CB -1.5V, I_E 0.5A）
V_CEO Min 30V（I_C -50mA）
V_CE(SAT) Max 0.45V（I_C -1V, I_B -0.1A）
V_BE(SAT) Max 1.4V（I_C -1V, I_B -0.1A）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_j -55 〜 85℃

'69東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：小電力増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CER -18V （R_BE = 1kΩ）
V_EBO -2.5V
I_C -150mA
P_C 200mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -14μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -14μA (V_EB -2.5V)
h_FE Typ 65 (V_CE -1V, I_C -150mA)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 1.5 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

h_ie Typ 1.65 Ω (V_CE -6V, I_C 1mA)
h_re Typ 4.3 ×10^-4 (V_CE -6V, I_C 1mA)
h_oe Typ 19 μmho (V_CE -6V, I_C 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：アロイ型
用途：低周波低雑音増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
I_C -50mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -2μA Max -5μA（V_CB -6V）
hfe Min 45 Max 100 Typ 70 （V_CE -1.5V, I_E 0.5mA, f 270Hz）
h_ib Typ 57Ω （V_CB -1.5V, I_E 0.5mA）
h_rb Typ 4×10^-4（V_CB -1.5V, I_E 0.5mA）
h_ob Typ 1.5μmho （V_CB -1.5V, I_E 0.5mA）
f_αb Typ 1.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）

NF Typ 3dB Max 5dB（V_CB -1.5V, I_E 0.5mA, f 1kHz）

NECエレクトロニックス・データブック　1963版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：保守品