構造：ドリフト型
用途：高周波，低周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -0.7V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -16μA (V_CB -10V)
h_fe Typ 190 (V_CE -9V, I_E 1mA)
f_αb Min 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Max 180Ω (V_CE -9V, I_E 1mA)
NF Max 16dB (V_CB -2V, I_E 0.5mA, f 1kHz, R_g500Ω)
h_ie Typ 4600 Ω (V_CE -9V, I_E 1mA)
h_re Typ 9 ×10^-4 (V_CE -9V, I_E 1mA)
h_oe Typ 45 μmho (V_CE -9V, I_E 1mA)
1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造： ドリフト型
用途：短波帯周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -0.7V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -16μA (V_CB -10V)
h_fe Min 25 Typ 100 Max 250 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Min 40 Typ 50 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 20 Max 75Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.3 Max 5pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：ＳＷ周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 50 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 75 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 3 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：中波・短波中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 40 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 20 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 3 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)
NF Max 7dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：短波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 70 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 50 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -9V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.3 pF (V_CB -9V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：短波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -9V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.3 pF (V_CB -9V, I_E 1mA)
NF Max 7dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：短波局部発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 40 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 30 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -9V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.3 pF (V_CB -9V, I_E 1mA)
NF Max 7dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：短波周波数混合

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 45 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 20 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -9V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.3 pF (V_CB -9V, I_E 1mA)
NF Max 7dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：ＶＨＦ増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 120 MHz (V_CB -12V, I_E 1.5mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -12V, I_E 1.5mA)
C_ob Typ 2 pF (V_CB -12V, I_E 1.5mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：ＶＨＦ増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 100 MHz (V_CB -12V, I_E 1.5mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -12V, I_E 1.5mA)
C_ob Typ 2 pF (V_CB -12V, I_E 1.5mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ベース拡散型
用途：短波高周波増幅／短波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 70（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 60MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）
PG Typ 16dB, Rie 300Ω, Roe 10kΩ（エミッタ接地 V_C -3V, I_E 1mA, f_S 12MHz）
Typ 24dB, Rie 300Ω, Roe 250kΩ（エミッタ接地 V_C -3V, I_E 0.6mA, f_S 12MHz, f_i 455kHz, V_OSC 100mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ベース拡散型
用途：短波局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 45MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 60Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ベース拡散型
用途：短波周波数混合用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 50MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 70Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）
PG Typ 24dB, Rie 240Ω, Roe 250kΩ（エミッタ接地 V_C -3V, I_E 0.6mA, f_S 12MHz, f_i 455kHz, V_OSC 100mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ベース拡散型
用途：中波中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 40MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 110Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）
PG Typ 39dB, Rie 2500Ω, Roe 250kΩ（エミッタ接地 V_C -3V, I_E 1mA, f_S 455kHz）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：合金接合型
用途：中波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 75 (V_CE -3V, I_E 1mA)
f_αb Typ 10 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 85 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 13 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：合金接合型
用途：中波・短波中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 50 (V_CE -3V, I_E 1mA)
f_αb Typ 5 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 75 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 13 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：合金接合型
用途：通信工業用，高速度スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -200mA
P_C 175mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -20V)
h_FE Typ 70 (V_CE -1V, I_C -10mA)
f_αb Typ 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
V_CE(SAT) Typ -0.05 V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Typ -0.28 V (I_C -10mA, I_B -1mA)

t_r Typ 0.35μs
t_stg Typ 0.20μs
t_f Typ 0.20μs

1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）より引用

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：掲載なし
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：中波中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_EBO -0.5V
I_C -15mA
I_E 15mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -6μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50（V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 4.0MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob Typ 10pF（V_CE -6V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 90Ω（V_CE -6V, I_E 1mA）
PG Typ 26dB（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 1mA, f_S 455kHz）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：アロイ型
用途：中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+80℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -10μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 2MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：保守品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：アロイ型
用途：周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+80℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -10μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 6MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：保守品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：合金接合型
用途：中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CEO -15V
V_CEO(peak) -15V
V_EBO -12V
V_EBO(peak) -12V
I_C -5mA
I_C(peak) -10mA
I_E 5mA
I_E(peak) 10mA
P_C 85mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -12μA (V_CB -10V)
h_fe Min 12 Typ 50 Max 250 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
f_αb Min 3 Typ 6 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 75 Max 250Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 11 Max 14pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 15MHz Typ 20MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：廃止品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：ドリフト型
用途：周波数混合・局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 20MHz Typ 30MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：廃止品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：ドリフト型
用途：周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 30MHz Typ 40MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：廃止品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55℃〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
f_αb Min 40MHz Typ 50MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）

三菱電機総カタログ（1964）より引用

三菱電機総カタログ（1964）：現行品
三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：廃止品種
三菱半導体ハンドブック（総合版1971）（昭和46年1月15日発行）：記載なし

構造：合金接合型
用途：中波高周波増幅／周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_EBO -0.5V
I_C -15mA
I_E 15mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -10μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 12 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 70 Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 10MHz)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)
g_ie Typ 4.5 mmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
C_ie Typ 490 pF (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
|y_re| Typ 77 μmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
-φ_re Typ 110° (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
|y_fe| Typ 26 mmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
-φ_fe Typ 36° (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
g_oe Typ 110 μmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
C_oe Typ 240 pF (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1.5MHz)
CG Typ 35 dB (V_CE -9V, I_C -0.6mA, R_g 1.4kΩ, R_L 55kΩ, f_s 1.5MHz, f_osc 1.955MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

構造：アロイ型
用途：通信工業用／ＡＭ高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_CEO -13V
V_EBO -12V
I_C -15mA
I_E 15mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -4μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -6μA (V_EB -12V)
h_fe Min 30 Typ 70 Max 120 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Min 5 Max 16MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 85 Max 150Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10MHz)
C_ob Min 7 Typ 10 Max 13pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)
r_ie Typ 340 Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)
C_ie Typ 450 pF (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)
r_oe Typ 11.5 Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)
C_oe Typ 27 pF (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_EBO -0.5V
I_C -15mA
I_E 15mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -12μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 60（V_CE -6V, I_E 1mA）
f_αb Typ 12MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob Typ 10pF（V_CE -6V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 110Ω（V_CE -6V, I_E 1mA）
PG Typ 26dB, Rie 1300Ω, Roe 75kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 0.6mA, f_S 1500MHz, f_i 455kHz, V_OSC 120mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：保守品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：アロイ型
用途：通信工業用 高周波増幅一般

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CER -18V （R_BE 20kΩ）
I_C -50mA
P_C 125mW
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃, 特記なき場合V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz）＞
hib Typ 28Ω
hrb Typ 1.3×10^-3
hob Typ 0.8μmho
hfe Min 40 Max 180 Typ 60（Ta=25℃, V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
I_CBO Max -8μA（V_CB -20V）

C_ob Max 20pF Typ 13pF（V_CB -6V, I_E 1mA, f 1MHz）
NF Max 18dB Typ 6dB（V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz, R_g 500Ω）

NEC Electronics Data Book '61（発行日不詳：昭和35年11月10日以降）より

構造：アロイ型
用途：通信工業用／中速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_EBO -12V
V_CES -13V
V_CEO -10V
I_C -15mA
i_C(peak) -30mA
I_E 15mA
i_E(peak) 30mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBX Max -4μA (V_CB -12V, V_EB -2V)
I_EBO Max -6μA (V_EB -12V)
h_fe Min 70 Typ 140 Max 200（V_CE -6V, I_C 1mA, f 270Hz）
V_CE(sat) Typ -0.07V Max -0.15V (I_C -15mA, I_B -0.5mA)
V_BE(sat) Typ -0.24V (I_C -15mA, I_B -0.5mA)
f_αb Min 14MHz (V_CB -6V, I_C 1mA)
hie_(real) Typ 70Ω Max 110Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz）
C_ob Min 7pF Typ 10pF Max 13pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
t_on Typ 0.43μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）
t_stg Typ 0.40μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）
t_f Typ 0.25μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：現行品
'70日立半導体ハンドブック（昭和45年1月発行）：現行品

構造：アロイ型
用途：会計機専用品種／中速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_EBO -12V
V_CEO -10V
I_C -15mA
I_E 15mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -6μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -6μA (V_EB -12V)
f_αb Typ 10MHz (V_CB -0.5V, I_C 30mA)
h_FE Min 50 Max 200（V_CE -0.5V, I_C 30mA）

日立通信工業用半導体製品特性一覧表（1968.8）より引用

日立通信工業用半導体製品特性一覧表（1968.8）：現行品

構造：アロイ型
用途：中速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CEO -15V
V_EBO -12V
I_C -0.1A
P_C 0.1W
T_j 75℃
T_stg -55～+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA（V_CB -15V）
hFE Typ 50（V_CE -1.5V, I_E 30mA）
f_αb Typ 7MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob Typ 13pF（V_CE -6V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 100Ω（V_CE -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品（Ｓ規格のみ）

構造：アロイ型
用途：通信工業用／中速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -21V
V_CEO -12V
V_CES -16V
V_EBO -12V
I_C -15mA
i_C(peak) -30mA
I_E 15mA
i_E(peak) 30mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55 ～ 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBX Max -7μA (V_CB -21V, V_EB -2V)
I_EBO Max -6μA (V_EB -12V)
h_fe Min 70 Typ 140 Max 300（V_CE -6V, I_C 1mA, f 270Hz）
（ランク：A 70-130, B 100-180, C 150-300）
V_CE(sat) Typ -0.07V Max -0.15V (I_C -15mA, I_B -0.5mA)
V_BE(sat) Typ -0.24V (I_C -15mA, I_B -0.5mA)
f_αb Min 14MHz (V_CB -6V, I_C 1mA)
hie_(real) Typ 70Ω Max 110Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz）
C_ob Min 7pF Typ 10pF Max 13pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
t_on Typ 0.43μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）
t_stg Typ 0.40μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）
t_f Typ 0.25μs （V_CC -10V, I_C = 10I_B1 = 10I_B2 -10mA, R_B 6kΩ, R_L -1kΩ）

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

構造：アロイ形
用途：AM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -2V
I_C -5mA
P_C 30mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -25μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -1.5V）
h_fe Min 4 Max 50（V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz）
C_ob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Min 20dB（V_CE -6V, I_C -1mA, f 455MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：合金接合型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 50 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 8 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Typ 11 Max 14.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^{-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)}

＊h_fe 分類 A：9〜13.5 B：11〜16
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 55 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 12 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 11 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

＊h_fe 分類 A：11〜16 B：13.5〜18 C：15.5 〜 20.5 D：18 〜 27.5
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_EBO -5V
I_C -15mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -2V)
h_fe Min 10 Typ 30 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 5 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 11 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 455kHz)
h_rb Max 3.2×10^{-3 (V_CB -6V, I_C -1mA, f 455kHz)}

＊h_fe 分類 A：11〜16 B：13.5〜18 C：15.5 〜 20.5 D：18 〜 27.5
(V_CE -6V, I_C -1mA, f 455kHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅・TV音声中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
h_fe Typ 70 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
h_fe Min 6 Max 10.5（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
f_αb Typ 55MHz （V_CB -6V, I_E -1mA）
C_ob Min 2pF Max 5pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト形
用途：AM高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -0.5μA（V_EB -1.5V）
h_fe Min 60 Max 400 Typ 150 （V_CE -6V, I_C 1mA, f 1kHz）
f_αb Typ 60MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
C_ob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：短波（12MHzまで）周波数変換・発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 55 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 35 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 3.5 Max 7pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト型
用途：短波（27MHzまでの）混合用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 90 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
h_fe Min 6 Max 13.5 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz)
f_αb Typ 60 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 35 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 3.5 Max 7pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：短波（27MHzまでの）発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
h_fe Typ 120 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
h_fe Min 6 Max 13.5（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
f_αb Typ 65MHz （V_CB -6V, I_E -1mA）
C_ob Max 7pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
r_bb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止予定品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：AGC増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 30 Max 300 Typ 80 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Min 40MHz Typ 55MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Max 6pF Typ 3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

三洋半導体ハンドブック1968年版より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和45年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：記載なし

構造：メサ型
用途：他励式周波数変換／高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CES -18V
V_EBO -0.2V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 75mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.2V)
h_fe Typ 2 (V_CE -6V, I_E 2mA, f 200MHz)
h_ie(real) Typ 50 Max 100Ω (V_CB -6V, I_E 2mA)
C_ob Typ 1 Max 1.5pF (V_CB -6V, I_E 00, f 4MHz)
h_fb Min -0.8 Typ -0.9 (V_CB -6V, I_E 2mA, f 270Hz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）：現行品

構造：メサ型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_CEO -17V
V_EBO -0.5V
I_C -30mA
P_C 200mW
P_C 133mW（at 45℃）
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -4μA（V_CB -15V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hFE Min 20（V_CE -6V, I_C -5mA）
hfe Min 2.5 Max 9（V_CE -6V, I_C -5mA, f 100MHz）
C_ob Max 4pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Min 15 Max 23（V_CB -6V, I_C -5mA, f 70MHz, Z_G 50Ω, Z_L 50Ω）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
T_stg -55 〜 100℃

NEC 半導体規格一覧表1966年4月版より引用

構造：メサ形
用途：TV混合／TV発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.4V
I_C -5mA
P_C 60mW
Tj 85℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -50μA（V_EB -0.4V）
hfe Typ 15 （V_CE -6V, I_C -2mA, f 1kHz）
f_T Min 400MHz Typ 500MHz （V_CE -6V, I_C -2mA）
Cob Max 3pF Typ 1.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
PG Typ 10dB （V_CE -6V, I_C -2mA, f 200MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：短波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 75 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 60 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 30 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.2 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：保守品種

構造：ドリフト型
用途：短波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 50 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.2 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：保守品種

構造：ドリフト型
用途：短波周波数変換，混合・局部発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 45 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 70 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.2 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：保守品種

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換，中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 45 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 30 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 70 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2.2 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：保守品種

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 30 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 3 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：中波・短波中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -6V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 45 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 20 MHz (V_CB -3V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -3V, I_E 1mA)
C_ob Typ 3 pF (V_CB -3V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -34V
V_EBO -1V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -7μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -8μA (V_EB -1V)
h_fe Typ 45 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -12V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -12V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2 pF (V_CB -12V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：保守品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

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構造：ドリフト型
用途：中波・短波中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -34V
V_EBO -1V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -7μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -8μA (V_EB -1V)
h_fe Typ 40 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 30 MHz (V_CB -12V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -12V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2 pF (V_CB -12V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -34V
V_EBO -1V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -8μA (V_EB -1V)
h_fe Typ 60 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 45 MHz (V_CB -12V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 50 Ω (V_CB -12V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2 pF (V_CB -12V, I_E 1mA)
NF Max 5dB

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：アロイ型
用途：高速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -21V
V_EBO -12V
I_C -15mA
P_C 80mW
P_C 53mW（at 45℃）
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -7μA（V_CB -21V）
hfe Min 100 Max 300 Typ 200（V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 14MHz（V_CB -6V, I_E 1mA）
C_ob Max 15pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
f_T Typ 12MHz（V_CE -6V, I_E 1mA）

'69東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -8μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 20 Typ 75 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fe Min 10 Max 44 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1.5MHz)
h_ie(real) Typ 40 Max 120Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 2 Max 6pF (V_CB -6V, I_E 0, f 4MHz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：中波周波数変換

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 75 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 85 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：合金接合型
用途：中波・短波中間周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 50 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 5 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 75 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：掲載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：合金接合型
用途：短波帯高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -10V
I_C -200mA
I_E 200mA
P_C 175mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -5μA (V_EB -10V)
h_FE Typ 70 (V_CE -1V, I_C -10mA)
f_αb Min 5 Typ 10 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 120 Max 250Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10MHz)
C_ob Typ 12 Max 20pF (V_CB -6V, I_E 00, f 1MHz)
h_ib Typ 29Ω (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fb Min 0.97 Typ 0.985 Max 0.996 (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_ob Typ 0.4 Max 1.2μmho (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
V_CE(SAT) Typ -0.05 Max -0.15V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Typ -0.28 Max -0.4V (I_C -10mA, I_B -1mA)

t_r Typ 0.35 Max 0.8μs
t_stg Typ 0.20 Max 0.55μs
t_f Typ 0.20 Max 0.50μs

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）より引用

1968年 富士通電子部品ハンドブック（昭和42年7月20日発行）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：現行品
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 50 （V_CB -6V, I_E 1mA）
fαb Typ 35MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
Cob Typ 3.0pF （V_CB -6V, I_E 1mA）
rbb' Typ 30Ω （V_CB -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用・短波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Typ 70 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 3.5 Max 8.0 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
fαb Min 25MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Min 2.5pF Max 4.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 90Ω Typ 30Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：現行品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -40μA (V_EB -1.5V)
h_fe Typ 70 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
h_fe Min 3.5 Max 8.0 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz)
f_αb Typ 35 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 30 Max 90Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Min 2 Max 5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -15V)
I_EBO Max -15μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_C -1mA)
h_ie(real) Typ 30 Max 120Ω (V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz)
C_ob Min 1.5 Max 5.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品

構造：ドリフト形
用途：FM中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -15mA
P_C 70mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Typ 80 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Typ 55MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Max 6pF Typ3.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 120Ω Typ 35Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -70μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550 （V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
f_T Min 5MHz Max 60MHz （V_CE -6V, I_C -1mA）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Max 90Ω （V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：掲載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：中波周波数変換，中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -1.5V
I_C -10mA
P_C 50mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -60μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 13 Max 550（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
hfe Min 5 Max 16（V_CE -6V, I_C -1mA, f 6MHz）
Cob Min 1.5pF Max 6.5pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：記載なし
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品

構造：ドリフト形
用途：HF帯出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -1.5V
I_C -50mA
I_E 50mA
P_C 120mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -15μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 100 （V_CB -6V, I_E 1mA）
fαb Typ 70MHz （V_CB -6V, I_E 1mA）
Cob Typ 2.5pF （V_CB -6V, I_E 1mA）
rbb' Typ 35Ω （V_CB -6V, I_E 1mA）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：ドリフト形
用途：HF帯トランシーバ出力用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -1.5V
I_C -50mA
P_C 120mW
Tj 75℃
Tstg -55〜+85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -15V）
I_EBO Max -40μA（V_EB -1.5V）
hfe Min 30 Max 300（V_CE -6V, I_C -1mA, f 1kHz）
fαb Min 40MHz （V_CB -6V, I_C -1mA）
Cob Min 2pF Max 5pF （V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）
rbb' Typ 50Ω Max 120Ω（V_CE -6V, I_C -1mA, f 50MHz）

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：保守品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：保守品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：短波帯高周波増幅，周波数変換用／短波帯送信機発振，増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -30V
V_CES -30V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
BV_CES Min -30V (I_C -50μA)
I_CBO Max -5μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -3μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 50 Typ 120 Max 200 (V_CE -9V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Min 30 MHz (V_CB -9V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 35 Ω (V_CE -9V, I_E 1mA, f 50MHz)
C_ob Typ 2.5 Max 3.2pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品

構造：エピタキシャルメサ型
用途：150MHz帯送信出力

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -0.5V
I_C -150mA
I_E 150mA
P_C 250mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -10V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 10 Max 150（V_CE -10V, I_E 5mA）
C_ob Max 4.0pF（V_CB -10V, I_E 0）
r_bb' Max 150Ω (V_CB -10V, I_E 5mA）
f_T Min 300 Max 900MHz （V_CE -3V, I_E 50mA）
P_out ≧ 250mW (V_cc -10V, f 150MHz, R_g 50Ω, R_L 50Ω, P_in 17mW)

日立通信工業用半導体製品特性一覧表（1964.03）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：掲載なし
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：掲載なし

構造：合金接合型
用途：中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
I_C -5mA
P_C 25mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -12V)
f_αb Typ 5.5 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 75 Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
h_fb Typ -0.98 (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)

東芝真空管ハンドブック第３巻（昭和35年7月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：中速度スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -25V
V_EBO -12V
I_C -50mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -6μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -20μA (V_EB -12V)
h_fe Typ 65 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 5MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 75 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）：現行品
1970年 富士通電子部品ハンドブック（昭和45年7月20日発行）：記載なし
1973年 富士通電子部品ハンドブック（昭和48年5月1日発行）：廃止品種

構造：メサ型
用途：27MHz帯トランシーバ出力増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBX -30V
V_CES -25V
V_EBO -0.5V
I_C -40mA
I_E 40mA
P_C 130mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
V_(BR)CBX Min -30 V (I_C -50μA, V_EB -0.5V)
V_(BR)CES Min -25 V (I_C -5mA)
I_CBO Max -30μA (V_CB -30V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Min 40 Max 300 (V_CE -6V, I_C -5mA, f 270Hz)
h_fe Min 2.5 Typ 3.2 Max 6.0 (V_CE -6V, I_C -5mA, f 50MHz)
h_ie(real) Max 120Ω (V_CE -6V, I_C -5mA, f 50MHz)
C_ob Typ 3 Max 6pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：合金接合型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_CES -16V
V_CEO -15V
V_EBO -20V
I_C -40mA
I_E 40mA
P_C 250mW*
T_j 70℃
T_stg -55〜70℃
*放熱片端子を放熱板（100mm×100mm×1.5mmアルミ板）の中央に取り付けた場合の許容値

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
V_(BR)CBX Min -45 V (I_C -50μA, V_EB -2V)
V_(BR)CES Min -16 V (I_C -50μA)
V_(BR)CEO Min -15 V (I_C -0.5mA)
I_CBO Max -6μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -12μA (V_EB -20V)
h_ie Typ 1.8kΩ (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_re 0.45×10^-3 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_fe Min 20 Typ 40 Max 80 (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_oe Typ 40μmho (V_CE -6V, I_C -1mA, f 270Hz)
h_ie(real) Max 120Ω (V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz)
C_ob Min 9 Max 13pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

構造：メサ型
用途：ＴＶ発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -6V
V_EBO -0.3V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 50mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -30μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.4V)
h_fe Typ 30 (V_CE -6V, I_E 2mA, f 270Hz)
f_T Typ 480 MHz (V_CE -6V, I_E 2mA)
C_ob Typ 1.5 pF (V_CB -6V, I_E 2mA)
PG Typ 7.7db（V_CE -6V, I_E 2mA, f 200MHz）

SANYO半導体カタログ1965.4より引用

構造：メサ型
用途：ＶＨＦ増幅，混合，発振

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.4V
I_C -5mA
P_C 60mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -30μA (V_CB -20V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -0.4V)
h_fe Typ 50 (V_CE -6V, I_C -2mA, f 1kHz)
f_T Typ 350 MHz (V_CB -6V, I_C -2mA)
C_ob Typ 1.5 Max 2.5pF (V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz)
PG Typ 14dB (V_CE -6V, I_C -2mA, f 100MHz)
PG Typ 7dB (V_CE -6V, I_C -2mA, f 200MHz)

'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）より引用

SANYO半導体カタログ1965.4 ：現行品
'68 三洋半導体ハンドブック （昭和43年1月5日発行）：現行品
'71 三洋半導体ハンドブック （昭和45年9月1日発行）：廃止品
'76 三洋半導体ハンドブック （昭和50年7月31日発行）：廃止品

This photo with coutesy of E.Saitoh.

This photo with coutesy of E.Saitoh.

構造：エピタキシャルメサ型
用途：高速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -12V
V_CEO -6V
V_EBO -1.5V
I_C -100mA
I_E 100mA
P_C 150mW
P_C 300mW （Tc = 25℃）
T_j 100℃
T_stg -55〜100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
V_(BR)CBO Min -12V (I_C -100μA)
V_(BR)CEO Min -6V (I_C -10mA)
V_(BR)EBO Min -1.5V (I_E -100μA)
I_CBO Max -3μA (V_CB -6V)
I_CES Max -100μA (V_CE -12V)
I_EBO Max -0.6μA (V_EB -0.5V)
h_FE Min 120 Typ 210 Max 350 (V_CE -1V, I_C -50mA)
V_CE(SAT) Typ -0.12 Max -0.2V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_CE(SAT) Typ -0.2 Max -0.4V (I_C -50mA, I_B -5mA)
V_BE(SAT) Min -0.3 Typ -0.4 Max -0.5V (I_C -10mA, I_B -1mA)
V_BE(SAT) Min -0.40 Typ -0.52 Max -0.75V (I_C -50mA, I_B -5mA)
f_T Min 300 Typ 530MHz (V_CE -1V, I_C -20mA)
C_ib Typ 2.0 Max 3.5pF (V_EB -1V, I_C 0, f 1MHz)
C_ob Typ 2.3 Max 4.0pF (V_CB -10V, I_E 0, f 1MHz)

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）より引用

'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：現行品
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

三菱トランジスタ-ダイオード'70-71 ：保守品種

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -12V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
I_EBO Max -10μA (V_EB -12V)
h_fe Min 30 Max 200 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fe Min 11 Typ 16 Max 26 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 455kHz)
h_ie(real) Typ 90 Max 160Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 10.5 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0)

'69総合版東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日）より引用

構造：合金接合型
用途：高速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -12V
I_C -24mA
I_E 24mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -3μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -3μA (V_EB -12V)
h_FE Min 30 Typ 100 Max 150 (V_CE -1V, I_C -24mA)
f_αb Min 9 Typ 14 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 0)

'69東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日）より引用

構造：合金接合型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
I_C -5mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
f_αb Typ 14 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_fb Min -0.95 Typ -0.997 (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：自励式周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -12V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
I_EBO Max -10μA (V_EB -12V)
h_fe Min 25 Max 170 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fe Min 9 Max 19 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 455kHz)
h_ie(real) Typ 80 Max 160Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10.5 pF (V_CB -6V, I_E 0)

'69東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日）より引用

構造：合金接合型
用途：ＡＭ中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -12V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 60mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
I_EBO Max -10μA (V_EB -12V)
h_fe Min 20 Max 130 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
h_fe Min 5 Typ 9 Max 13 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 455kHz)
h_ie(real) Typ 90 Max 160Ω (V_CE -6V, I_E 1mA)
C_ob Min 7.5 Typ 10.5 Max 12.5pF (V_CB -6V, I_E 0)

'69総合版東芝半導体ハンドブック（昭和43年11月1日）より引用

構造：ベース拡散型（1963）, メサ型（1964-1965から）
用途：通信工業用 高速度スイッチング用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -15V
V_CES -15V
V_EBO -3.5V
I_C -50mA
P_C 150mW
T_j 100℃
T_stg -65℃〜+100℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA（V_CB -5V）
I_EBO Max -5μA（V_EB -1V）
h_FE Min 25 Typ 40（V_CE -0.3V, I_C -10mA）
V_CE(SAT) Max -0.3V Typ -0.2V（I_C -10mA, I_B -0.4mA）
V_BE(SAT) Max -0.45V Typ -0.4V（I_C -10mA, I_B -0.4mA）
f_T Min 200MHz Typ 300MHz（V_CE -3V, I_E 10mA）
C_ob Typ 5pF（V_CB -10V, I_E 0, f 1MHz）
td Typ 22ns
tr Typ 28ns
ts Max 150ns Typ 65ns（I_C -10mA, I_B1 -1mA, I_B2 0.25mA）
tf Max 100ns Typ 45ns

NECエレクトロニックス・データブック1964-1965年版より引用

NECエレクトロニックス・データブック　1963年版（昭和38年5月15日発行）：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1964-1965年版（昭和39年10月15日発行）：現行品
NEC半導体規格一覧表1966年4月版：現行品
NECエレクトロニックス・データブック　1969年版（昭和44年7月1日発行）：廃止品

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
h_fe Min 20 max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 85 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
h_fe Min 20 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 75 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：自励式周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
h_fe Min 40 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 55 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：中速度スイッチング

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -16V
V_EBO -9V
I_C -40mA
P_C 80mW
T_j 85℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -6μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -15μA (V_EB -9V)
h_fe Typ 65 (V_CE -6V, I_E 1mA)
f_αb Typ 15 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_ie(real) Typ 85 Ω (V_CB -6V, I_E 1mA)
C_ob Typ 10 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)

テン半導体製品規格一覧表（1967年10月）より引用

構造：合金拡散型
用途：短波/ＦＭ帯発振，混合，中間周波増幅，高周波増幅，周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ 3 Max -13μA (V_CB -6V)
I_EBO Typ 0.1 Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 100 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
f_T Typ 70 MHz (V_CE -6V, I_E 1mA)
c_re Typ 1.5 Max 2.8 pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Typ 17 Max 40dB (V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
y_fe Typ 22 Max 27mmho (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10.7MHz)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：合金拡散型
用途：短波/ＦＭ帯発振，混合，中間周波増幅，高周波増幅，周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CBO(peak) -20V
V_EBO -0.5V
V_EBO(peak) -0.5V
I_C -10mA
I_C(peak) -10mA
I_E 10mA
I_E(peak) 10mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ 3 Max -13μA (V_CB -6V)
I_EBO Typ 0.1 Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 100 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
f_T Typ 70 MHz (V_CE -6V, I_E 1mA)
y_fe Min 28mmho (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10.7MHz)
c_re Typ 100 (V_CB -6V, I_E 1mA)
NF Typ 15 Max 33dB (V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
NF Typ 4dB (V_CE -6V, I_E 1mA, f 450kHz, R_s 200Ω)
NF Typ 5dB (V_CE -6V, I_E 1mA, f 10.7MHz, R_s 150Ω)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：合金拡散型
用途：ＦＭラジオ高周波増幅，周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_CBO(peak) -20V
V_EBO -0.5V
V_EBO(peak) -0.5V
I_C -10mA
I_C(peak) -10mA
I_E 10mA
I_E(peak) 10mA
P_C 100mW
T_j 75℃
T_stg -55〜75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Typ -2 Max -13μA (V_CB -6V)
I_EBO Typ -0.1 Max -50μA (V_EB -0.5V)
h_fe Typ 100 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
f_T Typ 100 MHz (V_CE -6V, I_E 1mA)
NF Typ 15 Max 33dB (V_CB -6V, I_E 1mA, f 1kHz)
c_re Typ 1.5 Max 2.8pF (V_CB -6V, I_E 1mA)
PG Min 10 Typ 13dB (V_CB -6V, I_E 1mA, f 100MHz)

1962年ナショナル真空管トランジスタ・ハンドブック（昭和37年2月15日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -12μA (V_CB -18V)
f_αb Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_fb Min -0.950 Typ -0.980 Max -0.998 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：自励式周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -12μA (V_CB -18V)
f_αb Typ 35 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
h_fb Min -0.96 Typ -0.98 Max -0.99 (V_CB -6V, I_E 1mA, f 270Hz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：映像増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -50V
V_EBO -0.5V
I_C -50mA
I_E 50mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA (V_CB -12V)
h_fe Typ 70 (V_CE -9V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 70 MHz (V_CB -6V, I_E 5mA)
h_ie(real) Typ 30 Ω (V_CE -9V, I_E 1mA, f 270Hz)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -50mA
P_C 120mW
P_C 70mW（at 45℃）
T_j 75℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA（V_CB -12V）
V_CER Min 32V（R_BE 100Ω, I_C -2mA）
hfe Min 80 Max 160 （V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz）
f_αb Min 20MHz （V_CB -3V, I_E 20mA）
C_ob Max 6pF（V_CB 6V, I_E 0, f 4MHz）
rbb' Max 120Ω（V_CE -6V, I_E 1mA, f 50MHz）

ＮＨＫ半導体ハンドブック 技術管理局編(１９６６年)より引用

＜最大定格＞
T_stg -55 〜 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
f_T Min 10MHz （V_CE -3V, I_E 10mA）
f_αb Typ 20MHz （V_CB -3V, I_E 10mA）
C_ob Max 6pF（V_CB -6V, I_E 0, f 1MHz）

東芝電子管・半導体ハンディブック（1968年版）より引用

構造：ドリフト型
用途：高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -18V)
h_fe Min 20 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 130 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA (V_CB -18V)
h_fe Min 20 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 110 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：高速度スイッチ用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -40V
V_EBO -2V
I_C -400mA
I_E 400mA
P_C 125mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -8μA (V_CB -12V)
I_EBO Max -50μA (V_EB -2V)
h_FE Min 30 Typ 60 Max 150 (V_CE -1V, I_C -400mA)
f_αb Min 25 Typ 40 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：合金接合型
用途：高速度スイッチ用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -12V
I_C -200mA
I_E 200mA
P_C 120mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -12μA (V_CB -18V)
I_EBO Max -7μA (V_EB -12V)
h_FE Typ 70 (V_CE -6V, I_C -100mA)
f_αb Typ 6 MHz (V_CB -6V, I_E 1mA)
V_CE(SAT) Max -0.15V (I_C -100mA, I_B -20mA)
V_BE(SAT) Min -0.41 Max -0.55V (I_C -100mA, I_B -20mA)

東芝真空管ハンドブック第３巻（昭和35年7月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：短波局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 80（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 40MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：短波周波数混合用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 85（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 50MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 45Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）
PG Typ 26dB, Rie 150Ω, Roe 1000kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 0.6mA, f_S 12MHz, f_i 455kHz, V_OSC 100mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：中間周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 60（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 30MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）
PG Typ 39dB, Rie 1500Ω, Roe 210kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 1mA, f_S 455kHz）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 80（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 40MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）
PG Typ 40dB, Rie 2100Ω, Roe 1000kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 0.6mA, f_S 1MHz, f_i 455kHz, V_OSC 100mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：中波高周波増幅用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -20V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA（V_CB -12V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 85（V_CE -9V, I_E 1mA）
f_αb Typ 50MHz（V_CB -9V, I_E 1mA）
C_ob Typ 1.7pF（V_CE -9V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 50Ω（V_CE -9V, I_E 1mA）
PG Typ 31dB, Rie 1000Ω, Roe 56kΩ（エミッタ接地 V_C -9V, I_E 1mA, f_S 1.5MHz）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：高周波一般用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -45V
V_EBO -1.0V
I_C -50mA
P_C 225mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -5μA (V_CB -12V)
h_fe Min 50 Max 175 (V_CE -9V, I_E 1.0mA, f 270Hz)
f_αb Min 25MHz (V_CB -9V, I_E 1.0mA)
h_ie(real) Max 110Ω (V_CE -9V, I_E 1.0mA)
C_ob Max 3.0pF (V_CB -9V, I_E 1mA)

日立通信工業用半導体製品一覧表（1962.11）より引用

日立通信工業用半導体製品一覧表（1962.11）：現行品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止

構造：ドリフト型
用途：局部発振用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
h_fe Min 40 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 50 MHz (V_CB -4.5V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ドリフト型
用途：他励式周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -18V
V_EBO -0.5V
I_C -5mA
I_E 5mA
P_C 55mW
T_j 75℃
T_stg -55〜85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -10μA (V_CB -18V)
h_fe Min 20 Max 350 (V_CE -6V, I_E 1mA, f 270Hz)
f_αb Typ 45 MHz (V_CB -4.5V, I_E 1mA)

東芝半導体ハンドブック１（昭和37年12月1日発行）より引用

構造：ベース拡散型
用途：中波周波数変換用

＜最大定格（Ta=25℃）＞
V_CBO -9V
V_EBO -0.5V
I_C -10mA
I_E 10mA
P_C 80mW
T_j 85℃

＜電気的特性（Ta=25℃）＞
I_CBO Max -15μA（V_CB -9V）
I_EBO Max -30μA（V_EB -0.5V）
hfe Typ 55（V_CE -3V, I_E 1mA）
f_αb Typ 45MHz（V_CB -3V, I_E 1mA）
C_ob Typ 5.0pF（V_CE -3V, I_E 1mA）
r_bb' Typ 65Ω（V_CE -3V, I_E 1mA）
PG Typ 385dB, Rie 5000Ω, Roe 500kΩ（エミッタ接地 V_C -3V, I_E 0.6mA, f_S 1500MHz, f_i 455kHz, V_OSC 100mV）

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）より引用

日立半導体製品特性一覧表（1961.10）：保守品
'67日立半導体ハンドブック（昭和41年10月1日発行）：廃止
'69日立半導体ハンドブック（昭和44年1月20日発行）：廃止